【摘要】 本发明涉及一种TFT-LCD阵列基板及其制造方法，其中，方法包括：步骤1、在基板上形成包括栅线、栅电极、有源层、数据线、源电极、漏电极和TFT沟道的图形；所述数据线包括主干部分和分支部分；步骤2、在完成步骤1的基板上沉积一层钝化层薄膜，形成钝化层过孔；步骤3、在完成步骤2的基板上沉积一层透明导电薄膜，通过构图工艺形成像素电极的图形，所述像素电极的图形被所述数据线的主干部分和分支部分形成的图形围绕。本发明通过将数据线图形设置成围绕像素电极的图形，可以克服现有技术中由于数据线发生偏移导致的单个像素电极上的寄生电容发生增大或减小的缺陷。 【专利类型】发明申请 【申请人】北京京东方光电科技有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】100176北京市经济技术开发区西环中路8号 【申请人地区】中国 【申请人城市】北京市 【申请人区县】大兴区 【申请号】CN200810247591.7 【申请日】2008-12-30 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101770123A 【公开公告日】2010-07-07 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101770123B 【授权公告日】2011-08-24 【授权公告年份】2011.0 【IPC分类号】G02F1/1362; H01L27/12; H01L21/84 【发明人】邱海军; 王章涛; 闵泰烨; 赵继刚 【主权项内容】一种TFT-LCD阵列基板，包括栅线和数据线，所述栅线和数据线限定的像素区域内形成有像素电极和薄膜晶体管，其特征在于，所述数据线包括主干部分和分支部分，所述像素电极四周被所述数据线的主干部分和分支部分围成的图形所围绕。 【当前权利人】高创(苏州)电子有限公司; 京东方科技集团股份有限公司 【当前专利权人地址】江苏省苏州市吴江经济技术开发区大兢路1088号; 北京市朝阳区酒仙桥路10号 【专利权人类型】有限责任公司(台港澳与境内合资) 【统一社会信用代码】911103027493533932 【家族引证次数】3.0
