【摘要】 本发明公开了一种抑制垂直腔面发射激光器发散角的方法，该方法是 通过在氧化限制型的垂直腔面发射激光器的上DBRs表面刻蚀空气孔图形 来实现的。利用本发明，能够有效地抑制垂直腔面发射激光器的发散角， 提高垂直腔面发射激光器的性能。 【专利类型】发明申请 【申请人】中国科学院半导体研究所 【申请人类型】科研单位 【申请人地址】100083北京市海淀区清华东路甲35号 【申请人地区】中国 【申请人城市】北京市 【申请人区县】海淀区 【申请号】CN200810118964.0 【申请日】2008-08-27 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101662123A 【公开公告日】2010-03-03 【公开公告年份】2010 【IPC分类号】H01S5/183; H01S5/00 【发明人】郑婉华; 刘安金; 邢名欣; 渠宏伟; 陈微; 周文君; 陈良惠 【主权项内容】1、一种抑制垂直腔面发射激光器发散角的方法，其特征在于，该方 法是通过在氧化限制型的垂直腔面发射激光器的上DBRs表面刻蚀空气孔 图形来实现的。 微信 【当前权利人】中国科学院半导体研究所 【当前专利权人地址】北京市海淀区清华东路甲35号 【统一社会信用代码】12100000400012385U 【被引证次数】2 【被他引次数】2.0 【家族被引证次数】2
