【摘要】 本发明公开了一种灰化处理方法，所述方法包括如下步骤：A、在真空环境的灰化室中设置被处理体，所述被处理体为磷掺杂的多晶硅晶圆；B、向灰化室中导入氧气、四氟化碳CF4气体和氮化氢N2H2气体组成的混合气体，并将所述混合气体等离子化，从而对被处理体表面的单质磷进行灰化；C、将被处理体置于高温环境，向灰化室中导入氧气、CF4气体和N2H2气体组成的混合气体，并将所述混合气体等离子化，从而对被处理体表面的磷化物进行灰化。本发明可有效去除多晶硅预掺杂过程在晶圆表面留下的杂质，从而提高集成电路晶圆的良品率。 【专利类型】发明申请 【申请人】中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】100176 北京市经济技术开发区文昌大道18号 【申请人地区】中国 【申请人城市】北京市 【申请人区县】大兴区 【申请号】CN200810226329.4 【申请日】2008-11-13 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101740333A 【公开公告日】2010-06-16 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101740333B 【授权公告日】2011-10-05 【授权公告年份】2011.0 【IPC分类号】H01L21/00 【发明人】韩秋华; 杜姗姗; 韩保东 【主权项内容】一种灰化处理方法，其特征在于，所述方法包括如下步骤：A、在真空环境的灰化室中设置被处理体，所述被处理体为磷掺杂的多晶硅晶圆；B、向灰化室中导入氧气、四氟化碳CF4气体和氮化氢N2H2气体组成的混合气体，并将所述混合气体等离子化，从而对被处理体表面的单质磷进行灰化；C、将被处理体置于高温环境，向灰化室中导入氧气、CF4气体和N2H2气体组成的混合气体，并将所述混合气体等离子化，从而对被处理体表面的磷化物进行灰化。 【当前权利人】中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 【当前专利权人地址】北京市经济技术开发区文昌大道18号 【专利权人类型】有限责任公司(外国法人独资) 【统一社会信用代码】911103027404017237 【被引证次数】1 【被他引次数】1.0 【家族引证次数】4.0 【家族被引证次数】1
