【摘要】 本发明属于纳米材料制备技术领域，特别涉及无模板电化学沉积大量制备Te一维纳米结构的方法。本发明以Te的化合物和无机强碱为原料，室温下配制成水溶液。电沉积过程在标准三电极体系中进行，通过水浴维持反应体系恒定温度，给工作电极施加一定的电压，反应一定时间后即可在工作电极上得到Te一维纳米结构。本发明的方法制备的Te一维纳米结构具有多种形貌，包括纳米线、纳米管、纳米带和纳米燕尾。。-官网 【专利类型】发明授权 【申请人】中国科学院理化技术研究所 【申请人类型】科研单位 【申请人地址】100080 北京市海淀区中关村北一条2号 【申请人地区】中国 【申请人城市】北京市 【申请人区县】海淀区 【申请号】CN200810100983.0 【申请日】2008-02-27 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101311338B 【公开公告日】2010-10-06 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101311338B 【授权公告日】2010-10-06 【授权公告年份】2010.0 【IPC分类号】C30B29/02; C30B30/02 【发明人】师文生; 佘广为 【主权项内容】一种无模板电化学沉积制备Te一维纳米结构的方法，其特征是，该方法包括以下步骤：1)电解质溶液的配制：在容器中配制无机强碱溶液，向上述无机强碱溶液中加入Te的化合物，无机强碱与Te的化合物的摩尔比为50∶1～500∶1，搅拌、溶解，得到电解质溶液，将电解质溶液倒入电解池中；2)恒电位电化学沉积：电沉积过程在有工作电极、对电极和参比电极的标准三电极体系中进行，用水浴维持步骤1)电解质溶液的温度为20～90℃，给工作电极施加相对于参比电极为-0.8～-1.6V的电位进行反应，在工作电极上得到Te一维纳米结构。 【当前权利人】中国科学院理化技术研究所 【当前专利权人地址】北京市海淀区中关村北一条2号 【统一社会信用代码】12100000717800662F 【引证次数】2.0 【被引证次数】2 【他引次数】2.0 【被自引次数】2.0 【家族引证次数】2.0 【家族被引证次数】13
