【摘要】 本发明公开了一种锥刺形无ITO电极结构，包括金属电极X和 金属电极Y，其中，金属电极X的放电部和金属电极X的放电部为 锥刺形以形成尖端放电。本发明还公开了上述锥刺形无ITO电极结 构的等离子显示屏的上基板的制作方法。由于采用锥刺形无ITO电 极结构，金属电极X的放电部和金属电极Y的放电部都为锥刺形， 以形成尖端放电，降低着火电压，同时遮盖面积比较小，从而增加 透光率。 【专利类型】发明申请 【申请人】四川世纪双虹显示器件有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】100085北京市海淀区上地信息路11号 【申请人地区】中国 【申请人城市】北京市 【申请人区县】海淀区 【申请号】CN200810223470.9 【申请日】2008-09-28 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101685741A 【公开公告日】2010-03-31 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101685741B 【授权公告日】2013-08-28 【授权公告年份】2013.0 【IPC分类号】H01J17/04; H01J9/00; H01J9/02; H01J11/28 【发明人】曹瑞林 【主权项内容】1.一种锥刺形无ITO电极结构，包括金属电极X和金属电极Y， 其特征在于， 所述金属电极X的放电部和所述金属电极Y的放电部为 锥刺形以形成尖端放电。 【当前权利人】四川世纪双虹显示器件有限公司 【当前专利权人地址】北京市海淀区上地信息路11号 【专利权人类型】有限责任公司 【统一社会信用代码】91510700791800222X 【家族引证次数】2.0
