【摘要】 本发明公开了一种在透射电子显微镜中原位测量纳电子器件性质的样品台系统，包括主要由半导体芯片和芯片载台组成的样品台前端头、中空的样品杆、以及设置在样品杆末端的绝缘穿通。其中，半导体芯片上的电极由经过中空样品杆的导线电连接到所述绝缘穿通的外连接导线上，并进一步连接到外接分析测试仪器上，从而可以对纳电子器件的性质进行研究。精确的尺寸设计保证TEM电子束能依次正常通过半导体芯片的狭缝和芯片载台的通孔，并聚焦在芯片狭缝上表面的纳电子器件上，从而可以直接对纳电子器件的微观结构进行表征。这样在TEM中实现了对纳电子器件的性质和微观结构的原位研究。 【专利类型】发明授权 【申请人】中国科学院物理研究所 【申请人类型】科研单位 【申请人地址】100080 北京市海淀区中关村南三街8号 【申请人地区】中国 【申请人城市】北京市 【申请人区县】海淀区 【申请号】CN200810055675.0 【申请日】2008-01-04 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101275895B 【公开公告日】2010-09-29 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101275895B 【授权公告日】2010-09-29 【授权公告年份】2010.0 【IPC分类号】G01N13/10; G01R31/00; G01Q60/12 【发明人】刘开辉; 白雪冬; 王恩哥 【主权项内容】一种在透射电子显微镜中原位测量纳电子器件性质的样品台系统，包括主要由半导体芯片和芯片载台组成的样品台前端头、中空的样品杆、以及设置在样品杆末端的绝缘穿通，所述芯片载台具有设置于样品测试区域的槽和槽内供电子束通过的通孔；所述芯片含有1个或多个狭缝；芯片设置在芯片载台的槽内，芯片厚度与芯片载台的槽深度和TEM电子束聚焦中心位置相匹配，使TEM电子束可以正常通过芯片狭缝和芯片载台通孔并聚焦在横跨芯片狭缝的纳电子器件上，其中，半导体芯片上的电极由经过中空样品杆的导线电连接到所述绝缘穿通的外连接导线上。。数据由整理 【当前权利人】中国科学院物理研究所 【当前专利权人地址】北京市海淀区中关村南三街8号 【统一社会信用代码】12100000400012174C 【引证次数】3.0 【自引次数】1.0 【他引次数】2.0 【家族引证次数】3.0 【家族被引证次数】27
