【摘要】 具有超疏水性能的多孔导电纳米铜薄膜材料的制备方法属于表面技术领 域。目前还没有具有超疏水性能的同时并具备导电性能的多孔纳米铜膜的报 道。所采用的技术方案是在固体表面先用高功率沉积一层金属铜薄膜，然后 采用小功率溅射法对金属铜薄膜表面进行小功率溅射沉积。我们的研究表明， 直接先沉积的一层金属铜表面接触角在90度左右，在经过稳定的小功率溅射 沉积后，接触角在155℃左右，达到超疏水性，并同时保持良好的导电性能。 本发明的纳米多孔薄膜材料不但具有超疏水性，并且比其它超疏水薄膜材料 拥有较好的机械性能，优良的热传导性和良好的导电性能。该薄膜材料主要 应用于微流器件、生物芯片、半导体芯片表面技术等领域。 【专利类型】发明授权 【申请人】北京工业大学 【申请人类型】学校 【申请人地址】100022北京市朝阳区平乐园100号 【申请人地区】中国 【申请人城市】北京市 【申请人区县】朝阳区 【申请号】CN200810056012.0 【申请日】2008-01-11 【申请年份】2008 【公开公告号】CN100577857C 【公开公告日】2010-01-06 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN100577857C 【授权公告日】2010-01-06 【授权公告年份】2010.0 【IPC分类号】C23C14/34 【发明人】王波; 李国星; 刘毅; 宋雪梅; 李耳; 严辉; 朱满康; 汪浩; 王如志; 侯育冬; 张铭 【主权项内容】1、具有超疏水性能的多孔导电纳米铜薄膜材料的制备方法，其特征在 于，包括以下步骤： 1)先对沉积室抽真空，真空度达到10-4Pa以上，再对衬底进行加热到350 ℃-450℃用来驱赶衬底及其附近的氧分子，再降低到100℃；然后充入 氩气，气压在0.1～0.5Pa的范围内； 2)用300W-400W功率在作为衬底的固体表面上溅射沉积一层金属铜 薄膜，厚度在0.5微米到1.5微米的范围； 3)将衬底原位进行50W-180W功率溅射沉积，基底温度在100℃到150 ℃的范围，溅射处理时间50～90分钟。 【当前权利人】北京工业大学 【当前专利权人地址】北京市朝阳区平乐园100号 【专利权人类型】公立 【统一社会信用代码】12110000400687411U 【被引证次数】2 【被他引次数】2.0 【家族被引证次数】13
