【摘要】 本发明涉及一种FFS型TFT-LCD阵列基板结构及其制造方法，阵列基板结构包括基板，形成在基板上的公共电极、栅线和栅电极，形成在基板上的栅绝缘层，形成在栅绝缘层上并位于栅电极之上的有源层，形成在基板上的数据线、源电极和漏电极，钝化层形成在基板上，在像素区域形成有条状并依次排列的钝化层沟槽，在漏电极位置形成有钝化层过孔，像素电极形成在钝化层上并位于钝化层沟槽内，通过钝化层过孔与漏电极连接。本发明最大限度地消除了像素区域内的像素电极的台阶端差，平整的像素电极表面使后续取向膜摩擦取向处理能获得均匀的取向角度，一方面提高了画面品质，另一方面大大提高了像素电极设计的自由度。 【专利类型】发明授权 【申请人】北京京东方光电科技有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】100176 北京市经济技术开发区西环中路8号 【申请人地区】中国 【申请人城市】北京市 【申请人区县】朝阳区 【申请号】CN200810103878.2 【申请日】2008-04-11 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101556417B 【公开公告日】2010-12-01 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101556417B 【授权公告日】2010-12-01 【授权公告年份】2010.0 【IPC分类号】G02F1/1362; H01L27/12; H01L23/522; H01L21/84; H01L21/768 【发明人】陈旭; 闵泰烨; 林承武; 谢振宇 【主权项内容】一种FFS型TFT‑LCD阵列基板结构，其特征在于，包括：基板；公共电极、栅线和栅电极，分别形成在所述基板上；栅绝缘层，形成在所述基板上并覆盖所述公共电极、栅线和栅电极；有源层，形成在所述栅绝缘层上并位于所述栅电极之上；数据线、源电极和漏电极，形成在所述基板上；钝化层，形成在所述基板上，在像素区域形成有条状并依次排列的钝化层沟槽，在所述漏电极位置形成有钝化层过孔；像素电极，形成在所述钝化层上并位于所述钝化层沟槽内，通过所述钝化层过孔与所述漏电极连接。 【当前权利人】京东方科技集团股份有限公司; 北京京东方光电科技有限公司 【当前专利权人地址】北京市朝阳区酒仙桥路10号; 北京市大兴区北京经济技术开发区西环中路8号 【专利权人类型】有限责任公司(台港澳与境内合资) 【统一社会信用代码】911103027493533932 【引证次数】3.0 【他引次数】3.0 【家族引证次数】3.0 【家族被引证次数】34
