【摘要】 一种半导体结构的制造方法，包括，提供具有半导体器件的衬底； 在所述半导体器件上形成介质层；所述的形成介质层的步骤至少包括以 下两个阶段：第一阶段，形成覆盖所述半导体器件的保护层；第二阶段， 执行等离子体沉积工艺，在所述保护层上沉积介质材料。本发明可减小 或消除形成介质层的步骤中对衬底的半导体器件的损伤。 【专利类型】发明申请 【申请人】中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】100176北京市北京经济技术开发区文昌大道18号 【申请人地区】中国 【申请人城市】北京市 【申请人区县】大兴区 【申请号】CN200810117501.2 【申请日】2008-07-31 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101640175A 【公开公告日】2010-02-03 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101640175B 【授权公告日】2012-10-10 【授权公告年份】2012.0 【发明人】李敏; 郑春生; 张子莹 【主权项内容】1、一种半导体结构的制造方法，包括，提供具有半导体器件的衬 底；在所述半导体器件上形成介质层；其特征在于，所述的形成介质层 的步骤至少包括以下两个阶段： 第一阶段，形成覆盖所述半导体器件的保护层； 第二阶段，执行等离子体沉积工艺，在所述保护层上沉积介质材料。 【当前权利人】中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 【当前专利权人地址】北京市北京经济技术开发区文昌大道18号 【专利权人类型】有限责任公司(外国法人独资) 【统一社会信用代码】911103027404017237 【被引证次数】TRUE 【家族被引证次数】TRUE
