【摘要】 本发明是关于一种干法蚀刻方法以及硅片蚀刻方法。该干法蚀刻方法包括：通入流量比例为75％～100％的含氟气体的工艺气，并在腔室压力为60～95mT、上射频功率为600～1200W、腔室内壁温度为50～75℃的条件下形成等离子体；通入流量比例为50％～100％的氧气的工艺气，在腔室压力为10～95mT、上射频功率为200～800W、腔室内壁温度为50～75℃的条件下形成等离子体；以及通入流量比例大于25％含硅气体和流量比例大于25％的含卤素气体的工艺气，在等离子体启辉条件下发生化学反应。该硅片蚀刻方法是，在完成述干法蚀刻方法后，将硅片送入蚀刻反应腔室，对硅片进行蚀刻。本发明提出的方法，可以保证首片硅片蚀刻的稳定性，避免“首片效应”，从而提高集成电路制造的良率和产能。 【专利类型】发明授权 【申请人】北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】100016 北京市朝阳区酒仙桥东路1号M5楼 【申请人地区】中国 【申请人城市】北京市 【申请人区县】朝阳区 【申请号】CN200810104178.5 【申请日】2008-04-16 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101562122B 【公开公告日】2010-09-01 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101562122B 【授权公告日】2010-09-01 【授权公告年份】2010.0 【IPC分类号】H01L21/00; H01L21/3065; C23F4/00 【发明人】杨柏 【主权项内容】一种干法蚀刻方法，其特征在于其包括以下步骤：第一步，向蚀刻反应腔室内通入包含气体流量比例为75％～100％的含氟气体的工艺气，并在腔室压力为60～95mT、上射频功率为600～1200W、腔室内壁温度为50～75℃的条件下形成等离子体；第二步，向蚀刻反应腔室内通入包含气体流量比例为50％～100％的氧气的工艺气，在腔室压力为10～95mT、上射频功率为200～800W、腔室内壁温度为50～75℃的条件下形成等离子体；以及第三步，向蚀刻反应腔室内通入气体流量比例大于25％含硅气体和流量比例大于25％的含卤素气体的工艺气，在等离子体启辉条件下发生化学反应。 【当前权利人】北京北方华创微电子装备有限公司 【当前专利权人地址】北京市大兴区经济技术开发区文昌大道8号 【专利权人类型】有限责任公司 【统一社会信用代码】91110302801786752A 【引证次数】3.0 【被引证次数】3 【他引次数】3.0 【被他引次数】3.0 【家族引证次数】3.0 【家族被引证次数】8
