【摘要】 一种含有电阻存储器的集成电路的层间连接方法，提供包括第一、第二和第三区域的层间介质层；在层间介质层上形成第一和第二绝缘层；去除第二区域的第二绝缘层；以第二绝缘层为掩膜，去除第二区域的第一绝缘层；在第二区域的金属布线结构上形成存储介质层；形成覆盖层间介质层、绝缘结构和存储介质层的导电层；刻蚀第一区域的导电层，暴露出第一区域的绝缘结构；在第一区域的绝缘结构以及第二区域和第三区域的导电层上依次形成刻蚀停止层、第二层间介质层；在第一区域形成连接金属布线结构和第三区域连接导电层的互连结构。所述方法在形成电阻存储器的同时，可同时实现核心器件以及第三区域的外围电路的层间互连。 【专利类型】发明授权 【申请人】中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】100176 北京市北京经济技术开发区文昌大道18号 【申请人地区】中国 【申请人城市】北京市 【申请人区县】大兴区 【申请号】CN200810105306.8 【申请日】2008-04-28 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101572247B 【公开公告日】2010-11-10 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101572247B 【授权公告日】2010-11-10 【授权公告年份】2010.0 【IPC分类号】H01L21/822; H01L21/768; H01L27/24 【发明人】鲍震雷 【主权项内容】一种含有电阻存储器的集成电路的层间连接方法，包括：提供半导体衬底以及位于半导体衬底上的层间介质层，所述半导体衬底和层间介质层包括第一区域，第二区域和第三区域，所述第一区域用于形成半导体器件的外围电路，第二区域用于形成半导体器件，第三区域用于形成第二区域中所述半导体器件的互连结构，所述层间介质层的第一区域、第二区域和第三区域都形成有金属布线结构；在层间介质层上依次形成第一绝缘层、第二绝缘层；去除第二区域的第二绝缘层；以第二绝缘层为掩膜，去除第二区域的第一绝缘层，未去除的第一绝缘层和第二绝缘层共同构成绝缘结构；在第二区域的金属布线结构上形成存储介质层；形成位于第一区域、第二区域以及第三区域，并且完全覆盖层间介质层、绝缘结构和存储介质层的导电层；刻蚀第一区域的导电层，暴露出第一区域的绝缘结构；在第一区域的绝缘结构以及第二区域和第三区域的导电层上形成刻蚀停止层，在刻蚀停止层上形成第二层间介质层；在第一区域和第三区域的第二层间介质层内形成连接开口，所述连接开口暴露出刻蚀停止层；以层间介质层为掩膜，完全去除第一区域的连接开口内的刻蚀停止层和绝缘结构，暴露出第一区域的金属布线结构，去除第三区域的连接开口内的刻蚀停止层，暴露出导电层；在第一区域和第三区域的连接开口内填充导电材料，形成互连结构。 【当前权利人】中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 【当前专利权人地址】北京市北京经济技术开发区文昌大道18号 【专利权人类型】有限责任公司(外国法人独资) 【统一社会信用代码】911103027404017237 【引证次数】4.0 【他引次数】4.0 【家族引证次数】4.0 【家族被引证次数】3
