【摘要】 本实用新型公开了一种制备高纯多晶硅还原设备，包括：SiCl4蒸发器， 还原炉，尾气处理器。采用N2作为载气将SiCl4蒸发器中的SiCl4带入还原炉 中，还原炉分为炉尾、炉中、炉口三段，集金属蒸汽发生装置、还原反应装 置、尾气回收装置于一身，表面镀有SiN保护膜。利用本实用新型使高纯多 晶硅的制备成本大幅降低、减少各种不必要的浪费，提高生产效率。解决了 现有技术存在的耗能高、工艺复杂等问题，实现了还原纯度为6N级以上多 晶硅产品效果。。： 【专利类型】实用新型 【申请人】上海太阳能科技有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】201108上海市闵行区莘庄工业区申南路555号 【申请人地区】中国 【申请人城市】上海市 【申请人区县】闵行区 【申请号】CN200820153749.X 【申请日】2008-10-07 【申请年份】2008 【公开公告号】CN201381229Y 【公开公告日】2010-01-13 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN201381229Y 【授权公告日】2010-01-13 【授权公告年份】2010.0 【发明人】柳翠; 敖毅伟 【主权项内容】1、一种制备高纯多晶硅还原设备，由SiCl4蒸发器[1]、还原炉[2]，尾 气处理器[3]组成，其特征在于，所述的SiCl4蒸发器[1]的进气口[4]与外部气 源连接；所述的出气口[6]与炉管[20]内壁的细管[14]气路的入口相连接；所述 的炉管[20]分为炉尾[13]、炉中[15]、炉口[16]三段，段内结合处各放置一个 高纯石英舟，内壁安装若干个细管[14]并向下开有若干小孔，进气口[7]与 SiCl4蒸发器[1]进气口[4]相连；所述的细管[14]垂直截面相邻小孔中心线与中 线连线成15度角，其中小孔为七排出气孔[21]，上小孔等间距排列并延伸至 炉中[15]。 【当前权利人】上海太阳能科技有限公司 【当前专利权人地址】上海市闵行区莘庄工业区申南路555号 【专利权人类型】其他有限责任公司 【统一社会信用代码】9131011263168762XU
