【摘要】 本发明公开了一种制作背栅氧化锌纳米线场效应晶体管的方法，包括：选择衬底，在衬底的正面沉积栅氧介质；在衬底的背面蒸发金属，形成背栅电极；在衬底正面沉积的栅氧介质上制作定位标记；将氧化锌纳米线转移和淀积至已完成定位标记制作的衬底的正面；定位氧化锌纳米线；制作源漏电极，形成背栅氧化锌纳米线场效应晶体管。本发明利用ZnO纳米线材料，经过上述工艺流程，实现了背栅ZnO纳米线场效应晶体管的制作。 【专利类型】发明申请 【申请人】中国科学院微电子研究所 【申请人类型】科研单位 【申请人地址】100029 北京市朝阳区北土城西路3号 【申请人地区】中国 【申请人城市】北京市 【申请人区县】朝阳区 【申请号】CN200810224906.6 【申请日】2008-10-24 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101728272A 【公开公告日】2010-06-09 【公开公告年份】2010 【IPC分类号】H01L21/336 【发明人】徐静波; 黎明; 付晓君; 张海英 【主权项内容】一种制作背栅氧化锌纳米线场效应晶体管的方法，其特征在于，该方法包括：选择衬底，在衬底的正面沉积栅氧介质；在衬底的背面蒸发金属，形成背栅电极；在衬底正面沉积的栅氧介质上制作定位标记；将氧化锌纳米线转移和淀积至已完成定位标记制作的衬底的正面；定位氧化锌纳米线；制作源漏电极，形成背栅氧化锌纳米线场效应晶体管。 微信 【当前权利人】中国科学院微电子研究所 【当前专利权人地址】北京市朝阳区北土城西路3号 【统一社会信用代码】12100000400834434U
