【摘要】 本发明提供一种绝缘栅双极晶体管，包括金属层、P+区、场终止层、N-区、P区、N+区、栅氧层及硅栅层。该场终止层包含N型硅锗合金。本发明还提供一种制造绝缘栅双极晶体管的方法。因本发明所提供的绝缘栅双极晶体管，利用包括N型硅锗合金的场终止层作为反向击穿终止层，进一步增强过剩少子空穴复合几率，从而减少了绝缘栅双极晶体管的关断时间并提高了关断速度，进而提高了电路效率。 【专利类型】发明申请 【申请人】上海芯能电子科技有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】200001 上海市黄浦区北京东路666号科技京城B区609-2室 【申请人地区】中国 【申请人城市】上海市 【申请人区县】黄浦区 【申请号】CN200810203921.2 【申请日】2008-12-03 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101752415A 【公开公告日】2010-06-23 【公开公告年份】2010 【IPC分类号】H01L29/739; H01L29/06; H01L21/331 【发明人】龚大卫; 邵凯 【主权项内容】一种绝缘栅双极晶体管，包括金属层、P+区、N-区、P区、N+区、栅氧层及硅栅层，其特征在于，该绝缘栅双极晶体管还包括包含N型硅锗合金的场终止层。。数据由整理 【当前权利人】商海涵 【专利权人类型】有限责任公司(自然人投资或控股) 【引证次数】4.0 【被引证次数】20 【他引次数】4.0 【被他引次数】20.0 【家族引证次数】4.0 【家族被引证次数】20
