【摘要】 本发明公开了一种形成浅沟槽隔离结构的方法及浅沟槽隔离结构，在形成 浅沟槽隔离结构中采用两层硬掩膜，在原有氮化物如氮化硅膜之上，增加氧化 物如氧化硅膜，由于刻蚀对氧化硅的选择比高于氮化硅，因此氮化硅膜的表面 不会在刻蚀中受到损伤，使得氮化硅膜的表面在刻蚀后仍是光滑均匀的，保证 了在CMP之后，同一Wafer平面上活性区域及附近场氧化物区域产生的高度差 是一致的，从而确保了生长的多晶硅的轮廓均匀，保证了集成电路的性能。 【专利类型】发明申请 【申请人】中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】100176北京市经济技术开发区文昌大道18号 【申请人地区】中国 【申请人城市】北京市 【申请人区县】大兴区 【申请号】CN200810222109.4 【申请日】2008-09-09 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101673701A 【公开公告日】2010-03-17 【公开公告年份】2010 【IPC分类号】H01L21/762; H01L27/04; H01L21/70 【发明人】韩秋华; 陈海华; 张世谋; 韩宝东 【主权项内容】1.一种形成浅沟槽隔离结构的方法，其特征在于，包括： 提供一半导体衬底； 在所述半导体衬底表面形成第一垫氧化层； 在所述第一垫氧化层层表面形成氮化硅或氮氧化硅； 在所述氮化硅或氮氧化硅表面形成第二垫氧化层； 刻蚀所述第二垫氧化层、氮化硅或氮氧化硅、第一垫氧化层和半导体衬底 以在半导体衬底中形成沟槽； 在所述沟槽侧壁和底部形成衬层氧化层； 在所述沟槽中沉积绝缘介质； 平坦化所述绝缘介质以形成浅沟槽隔离结构。 【当前权利人】中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 【当前专利权人地址】北京市经济技术开发区文昌大道18号 【专利权人类型】有限责任公司(外国法人独资) 【统一社会信用代码】911103027404017237 【被引证次数】16 【被自引次数】2.0 【被他引次数】14.0 【家族被引证次数】16
