【摘要】 本发明涉及一种采用自对准法制造肖特基二极管阵列的方法，此方法用较少的工艺步骤制造二极管阵列，有效节省了光刻次数，采用特定的金属与半导体，使两者之间形成稳定的肖特基接触，用于肖特基二极管的形成，进而对存储器件进行选通。作为本发明的一部分，还包括基于自对准肖特基二极管阵列的电阻转换存储器的制造方法。 【专利类型】发明授权 【申请人】中国科学院上海微系统与信息技术研究所 【申请人类型】科研单位 【申请人地址】200050 上海市长宁区长宁路865号 【申请人地区】中国 【申请人城市】上海市 【申请人区县】长宁区 【申请号】CN200810207298.8 【申请日】2008-12-18 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101459129B 【公开公告日】2010-10-27 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101459129B 【授权公告日】2010-10-27 【授权公告年份】2010.0 【IPC分类号】H01L21/822 【发明人】张挺; 宋志棠; 刘波; 封松林; 陈邦明 【主权项内容】一种自对准法制造肖特基二极管阵列的方法，其特征在于，该方法包括步骤如下：(1)在第一导电类型或者本征的半导体基底上制造出浅沟道，分隔出分立的线条，浅沟道刻蚀完毕后不去除光刻胶；(2)通过离子注入，形成对基底的第一导电类型掺杂，由于光刻胶的阻挡作用，分立的线条将不被掺杂，仅对浅沟道底部进行第一导电类型离子注入，形成第一导电类型重掺杂的区域，此区域围绕在分立线条的四周，用于电学隔离各根字线，注入完成后去除光刻胶；(3)在被浅沟道分隔开的线条的底部形成第二导电类型重掺杂的字线，方法为离子注入或者侧面扩散法；(4)将浅沟道填充介质材料，介质材料沉积厚度高于浅沟道的深度，后经化学机械抛光工艺平坦化，控制抛光厚度，使字线上方保留一定厚度的介质材料；(5)通过光刻工艺，选择性地刻蚀字线上方的介质材料，在每一单一的字线上方都制造出多个窗口，用以制造肖特基二极管单元；(6)再一次通过离子注入，被注入离子通过上述形成的窗口在字线上形成第二导电类型的轻掺杂区；(7)沉积金属材料，所选择的材料应与上述第二导电类型的轻掺杂半导体之间形成可靠的肖特基接触；(8)化学机械抛光工艺平坦化，去除覆盖在分立线条上方的金属材料，使金属材料仅保留在窗口内，即使各个窗口内的金属材料分开，如此形成肖特基二极管阵列。。数据由整理 【当前权利人】中国科学院上海微系统与信息技术研究所 【当前专利权人地址】上海市长宁区长宁路865号 【统一社会信用代码】12100000425006790C 【引证次数】1.0 【被引证次数】3 【自引次数】1.0 【被自引次数】2.0 【被他引次数】1.0 【家族引证次数】1.0 【家族被引证次数】8
