【摘要】 本发明提供一种晶圆清洗方法，将第一溶剂输送进入清洗容器，清洗晶 圆，再将第二溶剂输送进入清洗容器，清洗晶圆表面残留的第一溶剂。应用 该清洗方法的清洗装置包括清洗容器，所述清洗容器上具有第一液体进入管 路和第二液体进入管路。第一溶剂从第一液体进入管路载入清洗容器，第二 溶剂从第二液体进入管路载入清洗容器。用第二溶剂清洗晶圆表面的第一溶 剂，避免对晶圆有腐蚀作用第一溶剂与晶圆的长时间接触，从而避免因第一 溶剂腐蚀晶圆而产生晶圆废片，提高晶圆清洗工艺的经济性。 【专利类型】发明申请 【申请人】中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】100176北京市北京经济技术开发区文昌大道18号 【申请人地区】中国 【申请人城市】北京市 【申请人区县】大兴区 【申请号】CN200810116051.5 【申请日】2008-07-02 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101620982A 【公开公告日】2010-01-06 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101620982B 【授权公告日】2011-07-06 【授权公告年份】2011.0 【IPC分类号】H01L21/00; H01L21/02; H01L21/306; B08B3/08; G03F7/30; G03F7/42 【发明人】杜亮; 王福顺; 谢志勇; 齐峰 【主权项内容】1.一种晶圆清洗方法，将第一溶剂输送进入清洗容器，清洗晶圆，其 特征在于：还包括将第二溶剂输送进入清洗容器，清洗晶圆表面残留的第一 溶剂。 【当前权利人】中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 【当前专利权人地址】北京市北京经济技术开发区文昌大道18号 【专利权人类型】有限责任公司(外国法人独资) 【统一社会信用代码】911103027404017237 【引证次数】2.0 【被引证次数】6 【他引次数】2.0 【被他引次数】6.0 【家族引证次数】7.0 【家族被引证次数】7
