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一种Zn-掺杂SnO2微孔纳米材料的制备方法专利

发布时间:2026-06-11

【摘要】 本发明属于化工技术领域,提供一种Zn-掺杂SnO2微孔纳米材 料的制备方法,该方法包括以下步骤:a.首先将重量份数为6~16的 四价锡盐、1~3的锌盐、20~40的十六烷基三甲基溴化铵、100~200 的乙醇胺、500~600的蒸馏水混合均匀;b.再将上述步骤所得溶液 装入耐高压特富龙容器中,密闭、微波加热至160~200℃,反应10 -15分钟;c.将上述步骤所得产物经水和乙醇洗涤,然后离心分离、 干燥,即得到Zn-掺杂SnO2微孔纳米材料。采用本发明方法获得的 Zn-掺杂SnO2微孔纳米材料表面积达到120m2/g,孔隙大小约为1.1 纳米,该种方法具有反应时间短、易于大规模工业化生产的特点。 【专利类型】发明授权 【申请人】中国检验检疫科学研究院 【申请人类型】科研单位 【申请人地址】100123北京市朝阳区高碑店北路甲3号 【申请人地区】中国 【申请人城市】北京市 【申请人区县】朝阳区 【申请号】CN200810114570.8 【申请日】2008-06-04 【申请年份】2008 【公开公告号】CN100577572C 【公开公告日】2010-01-06 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN100577572C 【授权公告日】2010-01-06 【授权公告年份】2010.0 【IPC分类号】C01G19/02; C01G19/00 【发明人】席广成; 王星; 王超 【主权项内容】1、一种Zn-掺杂SnO2微孔纳米材料的制备方法,其特征在于, 包括以下步骤: a.首先将以下重量比的原料混合均匀: 四价锡盐 6~16; 锌盐 1~3; 十六烷基三甲基溴化铵20~40; 乙醇胺 100~200; 蒸馏水 500~600; b.再将上述步骤所得溶液装入耐高压特富龙容器中,密闭、微 波加热至160~200℃,反应10-15分钟; c.将上述步骤所得产物经水和乙醇洗涤,然后离心分离、干燥, 即得到Zn-掺杂SnO2微孔纳米材料。 【当前权利人】中国检验检疫科学研究院 【当前专利权人地址】北京市朝阳区高碑店北路甲3号 【引证次数】4.0 【他引次数】4.0 【家族引证次数】4.0 【家族被引证次数】8

  • 【摘要】本发明公开了一种电铸用金属母模及其应用。本发明的电铸用金属母模,依次包括基底、粘附层、低熔点金属层、与目标器件形状相匹配的三维结构层和位于所述整个表面的金属种子层;所述低熔点金属层选自铟、铟系低熔点合金、锡系低熔点合金、铋系低熔点合
  • 【摘要】本发明涉及磺酸基苯并-γ-吡喃酮类化合物的新用途。具体而言, 本发明涉及通式(I)所示的磺酸基苯并-γ-吡喃酮类化合物抑制HIV病 毒的用途,其中通式(I)中的取代基R1、R2、R3、R4、R5和R6如说 明书中所定义。【专利类型】
  • 【摘要】一种水滑石纳米片修饰的DNA敏感电极及其制备方法,属于电化学生物传感器及其制备技术领域。该敏感电极以玻碳电极为基底电极,由双链DNA和钴铝水滑石纳米片构成敏感膜修饰在基底电极表面。该敏感电极的制备方法是:将钴铝水滑石纳米片溶胶滴涂于
  • 【摘要】本发明公开了一种npn型InGaAsInP双异质结双极性晶体管(DHBT)外延层结构,该DHBT结构包括依次相邻接的发射极、基极和集电极,所述集电极从靠近基极向远离基极的方向依次包括n型InGaAs退后层、n型InGaAsP过渡层、
  • 【摘要】本发明公开了一种Y2O3-Lu2O3体系复合稀土-钼电子发射材料及其制备方法,属于稀土难熔金属阴极材料技术领域。现有阴极材料无法满足较高的电子发射要求。本发明特征在于:使用稀土元素钇和镥作为添加元素,按任意比例掺杂到金属钼中制备阴极
  • 【摘要】一种催化裂化催化剂及其制备方法,所述催化的制备方法包括将硅溶胶与分子筛、包含粘土的基质打浆、喷雾干燥、在pH值为9~11的条件下与铵盐接触进行第一次洗涤交换、焙烧和与铵盐接触进行第二次洗涤交换的步骤。该方法能够提高所制备的催化剂的孔