【摘要】 本发明公开了一种Y2O3-Lu2O3体系复合稀土-钼电子发射材料及其制备方法，属于稀土难熔金属阴极材料技术领域。现有阴极材料无法满足较高的电子发射要求。本发明特征在于：使用稀土元素钇和镥作为添加元素，按任意比例掺杂到金属钼中制备阴极材料。本发明材料由Lu2O3和Y2O3两种稀土氧化物任意比例混合，该混合的稀土氧化物占发射材料总重量的20％wt，其余为钼。本发明制成稀土-钼次级电子发射材料，其次级电子发射系数高于含镧的阴极而最佳激活温度低于含镧阴极以及含铈阴极。 【专利类型】发明授权 【申请人】北京工业大学 【申请人类型】学校 【申请人地址】100124 北京市朝阳区平乐园100号 【申请人地区】中国 【申请人城市】北京市 【申请人区县】朝阳区 【申请号】CN200810246837.9 【申请日】2008-12-31 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101447376B 【公开公告日】2010-09-01 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101447376B 【授权公告日】2010-09-01 【授权公告年份】2010.0 【IPC分类号】H01J1/32; H01J9/12 【发明人】王金淑; 刘伟; 高非; 任志远; 周美玲; 左铁镛 【主权项内容】一种Y2O3-Lu2O3体系复合稀土-钼电子发射材料，其特征在于：由Lu2O3和Y2O3两种稀土氧化物任意比例混合，该混合的稀土氧化物占发射材料总重量的20％wt，其余为钼。 【当前权利人】北京工业大学 【当前专利权人地址】北京市朝阳区平乐园100号 【专利权人类型】公立 【统一社会信用代码】12110000400687411U 【引证次数】4.0 【被引证次数】1 【自引次数】2.0 【他引次数】2.0 【被自引次数】1.0 【家族引证次数】4.0 【家族被引证次数】8
