【摘要】 本发明公开了一种npn型InGaAs/InP双异质结双极性晶体管(DHBT)外延层结构，该DHBT结构包括依次相邻接的发射极、基极和集电极，所述集电极从靠近基极向远离基极的方向依次包括n型InGaAs退后层、n型InGaAsP过渡层、n型InP重掺杂层、n型InP层和n型集电极接触层。利用本发明，可避免载流子在超晶格结构中隧穿对运动速度的降低，能提高DHBT的频率特性，消除了InGaAs基极和InP集电极所形成的导带尖峰。 【专利类型】发明授权 【申请人】中国科学院微电子研究所 【申请人类型】科研单位 【申请人地址】100029 北京市朝阳区北土城西路3号 【申请人地区】中国 【申请人城市】北京市 【申请人区县】朝阳区 【申请号】CN200810103253.6 【申请日】2008-04-02 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101552284B 【公开公告日】2010-08-25 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101552284B 【授权公告日】2010-08-25 【授权公告年份】2010.0 【IPC分类号】H01L29/737; H01L29/43; H01L29/417 【发明人】金智; 刘新宇 【主权项内容】一种npn型InGaAs/InP双异质结双极性晶体管DHBT外延层结构，该DHBT外延层结构包括依次相邻接的发射极、基极和集电极，其特征在于：所述集电极从靠近基极向远离基极的方向依次包括n型InGaAs退后层、n型InGaAsP过渡层、n型InP重掺杂层、n型InP层和n型集电极接触层；其中，所述发射极采用n型InP材料，所述基极采用p型InGaAs材料。 【当前权利人】中国科学院微电子研究所 【当前专利权人地址】北京市朝阳区北土城西路3号 【统一社会信用代码】12100000400834434U 【引证次数】2.0 【他引次数】2.0 【家族引证次数】2.0 【家族被引证次数】5
