【摘要】 一种等离子体预清洗方法，包括，对基底执行除气操作，经历所述除气操作的基底的温度为T1；对经历所述除气操作的基底执行等离子体刻蚀操作，执行所述等离子体刻蚀操作的反应腔室的温度为T2，T2小于T1；执行所述等离子体刻蚀操作的步骤包括：对经历所述除气操作的基底执行降温操作；对经历所述降温操作的基底执行等离子体刻蚀操作。可减少栅氧化层损伤。 ： 【专利类型】发明申请 【申请人】中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】100176 北京市经济技术开发区文昌大道18号 【申请人地区】中国 【申请人城市】北京市 【申请人区县】大兴区 【申请号】CN200810224584.5 【申请日】2008-10-21 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101724843A 【公开公告日】2010-06-09 【公开公告年份】2010 【IPC分类号】C23F4/00; B08B7/00 【发明人】聂佳相 【主权项内容】一种等离子体预清洗方法，包括，对基底执行除气操作，经历所述除气操作的基底的温度为T1；对经历所述除气操作的基底执行等离子体刻蚀操作，执行所述等离子体刻蚀操作的反应腔室的温度为T2，T2小于T1；其特征在于，执行所述等离子体刻蚀操作的步骤包括：对经历所述除气操作的基底执行降温操作；对经历所述降温操作的基底执行等离子体刻蚀操作。 【当前权利人】中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 【当前专利权人地址】北京市经济技术开发区文昌大道18号 【专利权人类型】有限责任公司(外国法人独资) 【统一社会信用代码】911103027404017237 【引证次数】1.0 【被引证次数】3 【他引次数】1.0 【被他引次数】3.0 【家族引证次数】1.0 【家族被引证次数】3
