【摘要】 本发明提供了一种控制特征尺寸的光刻方法及光刻系统，该方法包括步骤：利用目标值的工艺因子对具有光刻胶层的半导体晶片进行光刻，在每一片半导体晶片上形成至少两种不同特征尺寸的掩膜图形；测量并计算任意两种所述不同特征尺寸的掩膜图形的特征尺寸差值；根据所述特征尺寸差值，以及所述特征尺寸差值和所述工艺因子的线性关系，计算工艺因子的实际值；根据工艺因子的目标值与实际值的大小关系，调整工艺因子的目标值；利用调整后的工艺因子的目标值对n片具有光刻胶层的半导体晶片进行光刻。该方法减小了光刻后形成的掩膜图形CD的误差，提高了掩膜图形的精确度。 【专利类型】发明申请 【申请人】中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】100176 北京市北京经济技术开发区文昌大道18号 【申请人地区】中国 【申请人城市】北京市 【申请人区县】大兴区 【申请号】CN200810225227.0 【申请日】2008-10-28 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101727014A 【公开公告日】2010-06-09 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101727014B 【授权公告日】2011-11-30 【授权公告年份】2011.0 【IPC分类号】G03F7/20; G03F1/14; H01L21/66; G03F1/00 【发明人】朱萍花; 罗大杰 【主权项内容】一种控制特征尺寸的光刻方法，其特征在于，包括步骤：利用目标值的工艺因子对n片具有光刻胶层的半导体晶片进行光刻，在每一片半导体晶片上形成至少两种不同特征尺寸的掩膜图形，其中n为自然数；抽取至少一片所述半导体晶片，测量并计算任意两种所述不同特征尺寸的掩膜图形的特征尺寸差值；根据所述特征尺寸差值，以及所述特征尺寸差值和所述工艺因子的线性关系，计算工艺因子的实际值；根据工艺因子的目标值与实际值的大小关系，调整工艺因子的目标值；利用调整后的工艺因子的目标值对n片具有光刻胶层的半导体晶片进行光刻。 【当前权利人】中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 【当前专利权人地址】北京市北京经济技术开发区文昌大道18号 【专利权人类型】有限责任公司(外国法人独资) 【统一社会信用代码】911103027404017237 【被引证次数】8 【被自引次数】2.0 【被他引次数】6.0 【家族引证次数】3.0 【家族被引证次数】8
