【摘要】 有源浪涌电流控制电路，由上电启动电路、MOSFET及其栅源极电压Vgs斜率控制电路构成。MOSFET的漏极连接到负载、源极连接到外部输入；启动电路由电阻和齐纳二极管串联电路组成，跨接在输入两端，设定整个电路工作的最小输入电压及Vgs斜率控制电路工作的最大工作电压；Vgs斜率控制电路由电阻、跨接在三极管cb之间的电容、反向跨接在三极管eb的二极管以及ec之间的MOSFET保护电阻组成，控制MOSFET的从电源加电开始后的Vgs上升速率，并联合MOSFET内在的Cgd具有的密勒效应，最终控制通过MOSFET向负载输入端电容充电电流幅度，确保不会在上电瞬间出现幅度非常大、不受控的浪涌电流；在下电期间cb之间的电容通过二极管和cb之间的电阻放电，斜率控制电路跨接在正常工作时，Vgs斜率控制电路确保MOSFET完全导通，具有最小的功率损耗。 【专利类型】发明授权 【申请人】上海英联电子系统有限公司; 乔宗标 【申请人类型】企业,个人 【申请人地址】201203 上海市浦东新区张江高科技园区碧波路500号201室 【申请人地区】中国 【申请人城市】上海市 【申请人区县】浦东新区 【申请号】CN200810208252.8 【申请日】2008-12-30 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101505055B 【公开公告日】2010-12-15 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101505055B 【授权公告日】2010-12-15 【授权公告年份】2010.0 【IPC分类号】H02H9/02 【发明人】乔宗标 【主权项内容】一种有源浪涌电流控制电路，其特征在于：a)采用MOSFET作为控制元件，其漏极连接负载，源极连接所述有源浪涌电流控制电路的输入端；b)包含启动电路和MOSFET的Vgs电压斜率控制电路；c)启动电路的输出决定Vgs电压最大值，其由电阻和齐纳二极管串联构成；d)Vgs电压斜率控制电路由电阻、电容、三极管、二极管构成，其中启动电路的输出通过一个电阻连接到三极管的发射极；电容连接于三极管的基极和集电极之间，二极管并联在三极管的发射极和基极之间，其阳极与基极相连，阴极与发射极相连；三极管的发射极与MOSFET的栅极连接，集电极与MOSFET的源极相连；在三极管的集电极与发射极之间并联有另一电阻。 【当前权利人】上海英联电子系统有限公司; 乔宗标 【当前专利权人地址】上海市浦东新区张江高科技园区碧波路500号201室; 【专利权人类型】有限责任公司(自然人投资或控股) 【统一社会信用代码】91310115775793851Q 【引证次数】7.0 【他引次数】7.0 【家族引证次数】7.0 【家族被引证次数】25
