【摘要】 本发明公开了一种在线监控光刻条件的方法，包括如下步骤：(1)测量被监控图形的面积，对设备探测得到的图像进行处理；(2)测量所得图像中被监控图形内的有效图形区域与总图形区域的面积比例；(3)比较所述被监控图形内的有效图形区域与总图形区域的面积比例是否大于设定的面积比例范围值，如果大于则判定光刻条件合格，否则为不合格。本发明通过测量有效图形区域和边缘图形区域的面积比例值，可以对测量图形的形貌进行监控。。 【专利类型】发明申请 【申请人】上海华虹NEC电子有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】201206 上海市浦东新区川桥路1188号 【申请人地区】中国 【申请人城市】上海市 【申请人区县】浦东新区 【申请号】CN200810043870.1 【申请日】2008-10-28 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101727013A 【公开公告日】2010-06-09 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101727013B 【授权公告日】2013-02-13 【授权公告年份】2013.0 【IPC分类号】G03F7/20 【发明人】王雷 【主权项内容】一种在线监控光刻条件的方法，其特征在于，包括如下步骤：(1)测量被监控图形的面积，对设备探测得到的图像进行处理；(2)测量所得图像中被监控图形内的有效图形区域与总图形区域的面积比例；(3)比较所述被监控图形内的有效图形区域与总图形区域的面积比例是否大于设定的面积比例范围值，如果大于则判定光刻条件合格，否则为不合格。 【当前权利人】上海华虹宏力半导体制造有限公司 【当前专利权人地址】上海市浦东新区自由贸易试验区祖冲之路1399号 【专利权人类型】有限责任公司(台港澳法人独资) 【统一社会信用代码】91310000607374607X 【被引证次数】4 【被他引次数】4.0 【家族引证次数】4.0 【家族被引证次数】4
