【摘要】 一种选择性发射极太阳能电池单元的制造方法，包括：提供具有埋栅电 极的选择性发射极太阳能电池单元基体；在太阳能电池单元基体的受光面形 成防反射层；在防反射层上形成母线；使母线穿过防反射层与埋栅电极相连 接。相应地，本发明还提供一种选择性发射极太阳能电池单元。本发明将发 射极电极与母线分开制作，根据实际使用需要缩小发射极电极的宽度，减少 了不必要的使用面积，增加了太阳能电池板接收太阳光的有效面积。本发明 将太阳能电池的转换效率从原来的16.5％提高到18％以上。 【专利类型】发明申请 【申请人】中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】201210上海市浦东新区张江路18号 【申请人地区】中国 【申请人城市】上海市 【申请人区县】浦东新区 【申请号】CN200810041831.8 【申请日】2008-08-18 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101656273A 【公开公告日】2010-02-24 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101656273B 【授权公告日】2011-07-13 【授权公告年份】2011.0 【发明人】林章申 【主权项内容】1.一种选择性发射极太阳能电池单元的制造方法，其特征在于，包括： 提供具有埋栅电极的选择性发射极太阳能电池单元基体； 在太阳能电池单元基体的受光面形成防反射层； 在防反射层上形成母线； 使母线穿过防反射层与埋栅电极相连接。 【当前权利人】中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 【当前专利权人地址】上海市浦东新区张江路18号 【专利权人类型】有限责任公司(外国法人独资) 【统一社会信用代码】91310115710939629R 【被引证次数】TRUE 【家族被引证次数】TRUE
