【摘要】 本发明提出了一种光刻方法及系统，以提高光刻效率。该方法包括：判断 光刻工艺条件参数是否处于预定范围内；在处于预定范围内时，进行光刻；以 及在未处于预定范围内时，禁止光刻；该系统包括：判断单元，用于判断光刻 工艺条件参数是否处于预定范围内；光刻单元，用于在判断单元判断出处于预 定范围内时，进行光刻；以及光刻禁止单元，用于在判断单元判断出未处于预 定范围内时，禁止光刻。 【专利类型】发明申请 【申请人】中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】201203上海市张江路18号 【申请人地区】中国 【申请人城市】上海市 【申请人区县】浦东新区 【申请号】CN200810041879.9 【申请日】2008-08-19 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101655666A 【公开公告日】2010-02-24 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101655666B 【授权公告日】2011-07-20 【授权公告年份】2011.0 【发明人】柳会雄 【主权项内容】1、一种光刻方法，其特征在于，包括： 判断光刻工艺条件参数是否处于预定范围内； 在处于预定范围内时，进行光刻；以及 在未处于预定范围内时，禁止光刻。 【当前权利人】中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 【当前专利权人地址】上海市张江路18号 【专利权人类型】有限责任公司(外国法人独资) 【统一社会信用代码】91310115710939629R 【被引证次数】TRUE 【家族被引证次数】TRUE
