【摘要】 本发明公开了一种氮化镓外延层转移方法，包括以下步骤：在附有基体的氮化镓层表面镀覆金属层；将上述基体嵌入模具中并使金属层处于模具内侧；用树脂填充模具与基体之间的空隙；将上述模具浸入腐蚀液，至基体完全被腐蚀。与现有技术相比，本发明克服了转移氮化镓层的同时腐蚀金属层的缺陷，也克服了腐蚀过程中释放大量的热造成材料变形和导致氮化镓膜层破裂的不足，而且本发明提供的方法工艺简单易于操作，转移后的氮化镓膜层制成的LED发光效率高，能耗低，使用寿命长，且生产成本较低，符合大规模工业应用的条件，有广阔的应用前景。 【专利类型】发明授权 【申请人】中山大学 【申请人类型】学校 【申请人地址】510275 广东省广州市海珠区新港西路135号 【申请人地区】中国 【申请人城市】广州市 【申请人区县】海珠区 【申请号】CN200810198615.4 【申请日】2008-09-18 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101359709B 【公开公告日】2010-06-02 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101359709B 【授权公告日】2010-06-02 【授权公告年份】2010.0 【IPC分类号】H01L33/00; H01L21/00 【发明人】崔国峰; 丁坤 【主权项内容】一种氮化镓外延层转移方法，其特征在于包括以下步骤：步骤1.在附有基体的氮化镓层表面镀覆金属层；步骤2.将上述基体嵌入模具中并使金属层处于模具内侧；步骤3.用树脂填充模具与基体之间的空隙；步骤4.将上述模具浸入腐蚀液，至基体完全被腐蚀，所述模具的密度小于腐蚀液的密度，所述基体是以外力控制模具在腐蚀液中的位置以控制腐蚀的速度，所述外力是磁力或机械力。 【当前权利人】中山大学 【当前专利权人地址】广东省广州市海珠区新港西路135号 【统一社会信用代码】121000004558631445
