【摘要】 本发明公开了一种单一结构铁氰化物薄膜单极脉冲电沉积的制备方法，该方法采用单极脉冲电沉积方法在导电基体表面制备半导体金属铁氰化物薄膜，即施加一定时间的脉冲沉积电压随之控制截断时间内电流为零来实现单极脉冲，在含铁氰化钾、过渡金属盐及支持电解质的溶液中，通过调节脉冲电压、脉冲频率和脉冲通断时间(占空)比等参数分别制得“可溶性”或“不溶性”单一结构的无机半导体金属铁氰化物薄膜。本发明制备方法简单，可控性强，制得单一结构金属铁氰化物薄膜具有优良的选择性和灵敏性，是制备灵敏传感器以及电控离子分离技术的优选材料。 【专利类型】发明授权 【申请人】太原理工大学 【申请人类型】学校 【申请人地址】030024 山西省太原市迎泽西大街79号 【申请人地区】中国 【申请人城市】太原市 【申请人区县】万柏林区 【申请号】CN200810079438.8 【申请日】2008-09-20 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101358371B 【公开公告日】2010-12-08 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101358371B 【授权公告日】2010-12-08 【授权公告年份】2010.0 【IPC分类号】C25D9/08; C25D5/18; H01L21/36 【发明人】郝晓刚; 马旭莉; 王忠德; 张忠林; 李永国; 刘世斌; 孙彦平 【主权项内容】一种单一结构铁氰化物薄膜单极脉冲电沉积的制备方法，其特征为：取导电玻璃为工作电极，大面积铂片或铂网为对电极，饱和甘汞电极为参比电极，在新鲜配置的含0.01mol·L‑1铁氰化钾、0.01mol·L‑1氯化镍及0.5mol·L‑1硝酸钾的溶液中，施加一定时间的恒定脉冲沉积电压0.6V，之后控制截断时间内电流为零进行单极脉冲电沉积，控制脉冲频率3/s、脉冲通断时间比ton/toff为3∶1，脉冲沉积5000次，在导电玻璃基体表面制得“不溶性”结构的铁氰化镍薄膜。 【当前权利人】太原理工大学 【当前专利权人地址】山西省太原市迎泽西大街79号 【统一社会信用代码】12140000405700021K 【家族被引证次数】9
