【摘要】 本发明涉及一种薄膜太阳电池吸收层的制备方法，包括制备预制层和硒化或硫化反应；制备预制层制得含有部分Se或S的预制层；硒化或硫化反应：将镀有钼和预制层的衬底硒化或硫化处理后，预制层即转变为吸收层。由于制备的预制膜中含有Se或S，将镀有钼和预制层的衬底在特定的温度下，固态硒源或硫源硒化或硫化彻底、完全、均匀，使预制层转变为铜铟镓硒或铜铟镓硫吸收层，有效提高吸收层薄膜性能，满足薄膜太阳电池的要求，从而提高电池性能，并且设备简单，过程可控。 【专利类型】发明申请 【申请人】中国电子科技集团公司第十八研究所 【申请人类型】企业 【申请人地址】300381 天津市南开区李七庄凌庄子道18号 【申请人地区】中国 【申请人城市】天津市 【申请人区县】南开区 【申请号】CN200810153614.8 【申请日】2008-11-28 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101752451A 【公开公告日】2010-06-23 【公开公告年份】2010 【IPC分类号】H01L31/18 【发明人】方小红; 赵彦民; 冯金晖; 杨立; 李巍 【主权项内容】一种薄膜太阳电池吸收层的制备方法，其特征在于：包括制备预制层和硒化或硫化反应；制备预制层：采用真空磁控溅射设备将含有Se或S的CuIn和CuGa靶材同时或先后溅射在镀钼的衬底上，制得含有部分Se或S的预制层；或者采用真空磁控溅射设备将含有Se或S的CuInGa合金靶材溅射在镀钼的衬底上，制得含有部分Se或S的预制层；硒化或硫化反应：将镀有钼和预制层的衬底放入真空加热炉内，快速、均匀的升温，使得基片所在区域温度控制在400-590℃，固态硒源或硫源所在区域温度控制在180-300℃，依据金属预制层的厚度，进行10-30min的硒化或硫化处理后，预制层即转变为吸收层。 【当前权利人】中国电子科技集团公司第十八研究所 【当前专利权人地址】天津市南开区李七庄凌庄子道18号 【被引证次数】12 【被自引次数】1.0 【被他引次数】11.0 【家族被引证次数】12
