【摘要】 高储存稳定性室温脱水硫化有机硅涂膜的制备方法，其特点是该方法包括以下步骤，其中所述原料均为重量份数：将100份α，ω～(二羟基)聚二有机硅氧烷聚合物阴离子乳液、有机硅交联剂1～5份、催化剂辛酸亚锡乳液0.1～5份加入搅拌机中混合均匀，室温熟化1～4日，用碱将上述组合物pH值调节到10～14，再将上述组合与无机填料50～100份、增稠剂0.1～1份和消泡剂0.1～1份加入行星搅拌机内搅拌均匀，获得高储存稳定性室温脱水硫化有机硅涂膜。 【专利类型】发明授权 【申请人】成都硅宝科技股份有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】610041 四川省成都市高新区新园大道16号 【申请人地区】中国 【申请人城市】成都市 【申请人区县】武侯区 【申请号】CN200810044275.X 【申请日】2008-04-23 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101260278B 【公开公告日】2010-06-16 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101260278B 【授权公告日】2010-06-16 【授权公告年份】2010.0 【IPC分类号】C09D183/14; C09D5/16; C08G77/08; C08G77/392; C09K3/10 【发明人】邱泽皓; 袁素兰; 王有治; 王楠 【主权项内容】高储存稳定性室温脱水硫化有机硅涂膜的制备方法，其特征在于该方法包括以下步骤，其中所用原料按重量计算：将100份α，ω～(二羟基)聚二有机硅氧烷聚合物阴离子乳液、有机硅交联剂1～5份、催化剂辛酸亚锡乳液0.1～5份加入搅拌机中混合均匀，室温熟化1～4日，用碱将上述组合物pH值调节到10～14，再将上述组合物与无机填料50～100份、增稠剂0.1～1份和消泡剂0.1～1份加入行星搅拌机内搅拌均匀，获得高储存稳定性室温脱水硫化有机硅涂膜；其中，α，ω～(二羟基)聚二有机硅氧烷聚合物阴离子乳液的pH值为7，α，ω～(二羟基)聚二有机硅氧烷的结构式为R为CH3-，CH3CH2-，CH2＝CH-或C6H5-，R可以相同，也可以不同，乳液的干物质含量为40％～70％，干物质中α，ω～(二羟基)聚二有机硅氧烷数均分子量为300, 000～900, 000，高的储存稳定性：隔绝空气储存一年后力学性能基本不变。F200810044275XC00011.tif。 【当前权利人】成都硅宝新材料有限公司 【当前专利权人地址】四川省成都市新津工业园区新材料产业功能区新材28路以北 【专利权人类型】股份有限公司(上市、自然人投资或控股) 【统一社会信用代码】91510100713042497M 【引证次数】9.0 【他引次数】9.0 【家族引证次数】9.0 【家族被引证次数】5
