【摘要】 本发明涉及一种高稳定高精度高阻值金属膜电阻器及其溅射镀膜工艺方法。该金属膜电阻器的阻值100MΩ，精度0.5％，过载0.5％，电阻温度系数TCR50PPm/℃，它是在高阻溅射靶材上通过磁控溅射方法制备而成。具体工艺参数：在真空3×10-3Pa下进行，溅射真空为5×10-1Pa，溅射电压为300～400V，溅射电流为0.1～0.2A，氩气输入量30L/min，氧气输入量1.5L/min，溅射时间1～3h。本发明获得均匀一致的膜层，高阻值的金属膜电阻器膜层很薄，使每个基体获得均匀的膜层，使阻值和技术性能达到较好的一致性。生产的高阻值电阻器稳定性好、精度高，电阻温度系数小。 【专利类型】发明授权 【申请人】天津大学 【申请人类型】学校 【申请人地址】300072 天津市南开区卫津路92号 【申请人地区】中国 【申请人城市】天津市 【申请人区县】南开区 【申请号】CN200810154522.1 【申请日】2008-12-25 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101477858B 【公开公告日】2010-08-25 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101477858B 【授权公告日】2010-08-25 【授权公告年份】2010.0 【IPC分类号】H01C7/00; H01C17/06; C23C14/35 【发明人】张之圣; 王秀宇; 邹强; 白天; 潘有桐; 常力峰; 潘有胜 【主权项内容】一种高稳定高精度高阻值金属膜电阻器，其特征在于该金属膜电阻器的阻值100MΩ，精度0.5％，过载0.5％，电阻温度系数TCR50PPm/℃，它是在高阻溅射靶材上通过磁控溅射方法制备而成，具体操作是由恒流电源进行溅射，所述的高阻溅射靶材是Cr-Si系，其中，Si 45-55％，Cr 40-50％，Ni 3-6％，Ti 0.1-0.3％；所述的靶材在磁控溅射镀膜机上进行溅射的工艺参数：在真空3×10-3Pa下进行，溅射真空度为5×10-1Pa，溅射电压为300～400V，溅射电流为0.1～0.2A，氩气输入量30L/min，氧气输入量1.5L/min，溅射时间1～3h。 ： 【当前权利人】天津大学 【当前专利权人地址】天津市津南区海河教育园区雅观路135号天津大学北洋园校区 【统一社会信用代码】12100000401359321Q 【家族被引证次数】8
