【摘要】 基于非对称金属光栅结构的双频可调磁共振人工复合材料，其特征在于：选择石英基片 并将表面抛光，在其表面蒸镀SiO2膜；在SiO2膜表面蒸镀铬膜，在铬膜上涂覆光刻胶层；采 用电子束光刻方法，在光刻胶上制备介质光栅结构；采用湿法腐蚀技术，将光刻胶作为掩模， 腐蚀裸露铬膜；采用干法腐蚀技术，将铬膜作掩模，在SiO2膜上刻蚀介质光栅结构，去除铬 膜；采用侧向真空沉积技术，在SiO2光栅结构一侧侧向沉积厚度h金属层；同样在SiO2光栅 结构另一侧沉积相同厚度的金属层，形成顶部厚度2h，侧壁宽度h的“Π”形金属结构，基于 非对称金属光栅结构的双频可调磁共振人工复合材料制作完成。本发明具有制作简便，单 层损耗小，单层正入射以及双频的特性，在磁共振、近场光学、隐身材料等领域具有启 示的意义以及很大的应用前景。 【专利类型】发明授权 【申请人】中国科学院光电技术研究所 【申请人类型】科研单位 【申请人地址】610209四川省成都市双流350信箱 【申请人地区】中国 【申请人城市】成都市 【申请人区县】双流区 【申请号】CN200810223525.6 【申请日】2008-10-06 【申请年份】2008 【公开公告号】CN100588742C 【公开公告日】2010-02-10 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN100588742C 【授权公告日】2010-02-10 【授权公告年份】2010.0 【发明人】罗先刚; 胡承刚; 赵泽宇; 陈旭南 【主权项内容】1、基于非对称金属光栅结构的双频可调磁共振人工复合材料，其特征在于包括以下步 骤： (1)选择石英基片，并将其表面抛光；然后在其表面蒸镀一层高纯SiO2膜； (2)在高纯SiO2膜表面蒸镀一层铬膜，然后在铬膜上均匀涂覆一层光刻胶； (3)采用电子束光刻的方法，在光刻胶上制备介质光栅结构； (4)采用湿法腐蚀技术，将光刻胶作为掩模，腐蚀掉裸露在外的铬膜； (5)采用干法腐蚀技术，将铬膜作为掩模，在高纯SiO2膜上刻蚀出的介质光栅结构， 去除铬膜； (6)采用侧向真空沉积技术，在SiO2光栅结构的一侧采用侧向沉积技术制作一层厚度 为h金属层，所述h为18纳米至22纳米； (7)再次采用侧向真空沉积技术，在SiO2光栅结构的另一侧同样采用侧向沉积技术制 作相同厚度为h的金属层，最后形成顶部厚度为2h，侧壁宽度为h的“п”形金属结构，一种 基于非对称金属光栅结构的双频可调磁共振人工复合材料制作完成。 【当前权利人】中国科学院光电技术研究所 【当前专利权人地址】四川省成都市双流350信箱 【统一社会信用代码】12100000450811820A 【家族被引证次数】TRUE
