【摘要】 本发明涉及一种穿通效应增强型硅光电晶体管。包括NPN和PNP两种类型，其由下至上包括硅衬底层，位于硅衬底层上的P阱(或N阱)层，位于P阱(或N阱)层内的两个分立的N型(或P型)重掺杂有源区，位于P阱(或N阱)层内、被两个N型(或P型)重掺杂有源区环绕的场区二氧化硅层，位于P阱(或N阱)层窄侧和场区二氧化硅层上表面的两个分立的条形栅氧二氧化硅层，覆盖在栅氧二氧化硅层上、与栅氧二氧化硅层形状相同的两个分立的多晶硅层，位于P阱(或N阱)层宽侧上表面且与两个分立的N型(或P型)重掺杂有源区的分别连接的条形金属电极层。该器件可以有效提高器件光电转换增益，限制器件的暗电流，降低器件噪声，得到高的信噪比。 【专利类型】发明授权 【申请人】吉林大学 【申请人类型】学校 【申请人地址】130023 吉林省长春市朝阳区前进大街2699号 【申请人地区】中国 【申请人城市】长春市 【申请人区县】朝阳区 【申请号】CN200810051680.4 【申请日】2008-12-25 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101447524B 【公开公告日】2010-08-11 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101447524B 【授权公告日】2010-08-11 【授权公告年份】2010.0 【IPC分类号】H01L31/11 【发明人】常玉春; 刘欣; 王玉琦; 杜国同; 郭树旭; 王富昕; 史中翩 【主权项内容】NPN型穿通效应增强型硅光电晶体管，其特征在于：由下至上依次包括硅衬底层(1)，位于硅衬底层(1)内的P阱层(2)，位于P阱层(2)内的两个分立的N型重掺杂有源区(3，3’)，位于P阱层内、被两个N型重掺杂有源区(3，3’)环绕的场区二氧化硅层(6)，位于P阱层(2)窄侧和场区二氧化硅层(6)上表面的两个分立的条形栅氧二氧化硅层(4，4’)，覆盖在栅氧二氧化硅层(4，4’)上、与栅氧二氧化硅层形状相同的两个分立的多晶硅层(5，5’)，位于P阱层(2)宽侧上表面且与两个分立的N型重掺杂有源区(3，3’)分别相连的条形金属电极层(7，7’)；两个分立的N型重掺杂有源区(3，3’)是被栅氧二氧化硅层(4，4’)和多晶硅层(5，5’)分成的两个对称的U形区域。 【当前权利人】长春长光圆辰微电子技术有限公司 【当前专利权人地址】吉林省长春市经开区营口路18号 【统一社会信用代码】121000004232040648 【被引证次数】2 【被自引次数】2.0 【家族被引证次数】8
