【摘要】 本发明提供一种有机发光显示器件阴极隔离柱的加工方法，采用微转移图案化的方法在正性光刻胶薄膜上形成聚合物薄膜图案，然后以该聚合物薄膜选择性吸附催化剂后进行化学镀金属以形成金属薄膜。最后以金属薄膜作为掩模对下层正性光刻胶薄膜进行选择性紫外曝光并溶解除去。紫外光在掩模图形边缘的衍射可以造成非曝光区域边缘的部分曝光，使剩余的光刻胶薄膜可以和上层的金属薄膜共同组成具有T型截面的结构，该结构可以作为有机发光显示中阴极的隔离柱。由于层叠结构T型截面的隔离柱上层金属薄膜不受紫外曝光和显影的影响，因此对正性光刻胶的曝光剂量和显影时间超过最佳条件的情况下仍然得到与掩模板尺寸相符的目标层图案。 【专利类型】发明授权 【申请人】中国科学院长春应用化学研究所 【申请人类型】科研单位 【申请人地址】130022 吉林省长春市人民大街5625号 【申请人地区】中国 【申请人城市】长春市 【申请人区县】南关区 【申请号】CN200810050860.0 【申请日】2008-06-23 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101304076B 【公开公告日】2010-09-01 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101304076B 【授权公告日】2010-09-01 【授权公告年份】2010.0 【IPC分类号】H01L51/56; H01L21/00; G03F7/00 【发明人】韩艳春; 邢汝博; 丁艳 【主权项内容】一种有机发光显示器件阴极隔离柱的加工方法，其特征在于，步骤和条件如下：1)在具有图形的聚二甲基硅氧烷软印章(4)表面旋涂一层聚合物薄膜1，聚合物薄膜1的聚合物是聚苯乙烯或者聚甲基丙烯酸甲酯，在平面基底(5)上涂敷正性光刻胶薄膜(2)，将正性光刻胶薄膜(2)干燥后，在正性光刻胶薄膜(2)表面涂敷聚合物薄膜3并干燥，聚合物薄膜3的聚合物是聚乙烯基吡啶，平面基底(5)是硅片、玻璃或铟锡氧化物镀膜玻璃；2)将表面具有聚合物薄膜1的聚二甲基硅氧烷软印章(4)和平面基底(5)上的聚合物薄膜3表面吻合，将整个体系加热到聚合物薄膜1的玻璃化温度后再升温5-15℃，并保持0.5-10分钟，然后将整个体系降低温度到聚合物薄膜1的玻璃化温度后再降低5-50℃，将聚二甲基硅氧烷软印章(4)剥离，得到表面具有图案化的聚合物薄膜1的聚合物薄膜3；3)将步骤(2)得到的平面基底(5)首先浸渍于含有钯离子的溶液中20-90秒，使聚合物薄膜3吸附钯离子，然后浸渍于可还原钯离子的溶液中将钯离子还原为单质钯，然后浸渍于镍的化学镀溶液中，利用钯催化沉积镍形成100-500纳米厚的金属镍薄膜(6)；4)将步骤(3)处理后的平面基底(5)进行氧等离子体刻蚀，除去无金属镍薄膜(6)覆盖区域的聚合物薄膜1和聚合物薄膜3，然后对平面基底(5)上的光刻胶薄膜(2)进行紫外曝光和显影后，得到表面覆盖金属镍薄膜(6)的光刻胶结构，该结构可以作为有机发光显示器件的阴极隔离柱。。 【当前权利人】常州储能材料与器件研究院 【当前专利权人地址】江苏省常州市河海东路9号 【统一社会信用代码】121000006051000987 【引证次数】2.0 【被引证次数】2 【他引次数】2.0 【被他引次数】2.0 【家族引证次数】2.0 【家族被引证次数】10
