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多准位电源转换器的准位切换装置专利

发布时间:2026-06-20

【摘要】 一种多准位电源转换器的准位切换装置,包括一分压电路,一电阻,一MOS晶体管和一低超过超消除器,其特征在于:所述分压电路,自所述多准位电源转换器的输出端取得与输出端上输出信号相关的一回授信号,所述分压电路包括一个回授端,所述回授信号于所述回授端输出;所述电阻,与所述MOS晶体管串联;所述MOS晶体管,与所述电阻串联在所述回授端及接地端之间;所述低超过超消除器,设置在所述准位切换装置中,用以调整所述MOS晶体管由全开变为全关或由全关变为全开的速度。本发明的多准位电源转换器的准位切换装置具有改善所述输出信号的过超或低超情况的优点。 【专利类型】发明申请 【申请人】立锜科技股份有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】中国台湾新竹县竹北市台元街20号5楼 【申请人地区】中国 【申请人城市】台湾省 【申请号】CN200810169686.1 【申请日】2008-10-09 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101719724A 【公开公告日】2010-06-02 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101719724B 【授权公告日】2013-08-14 【授权公告年份】2013.0 【IPC分类号】H02M3/157; H02M3/139 【发明人】张乔杰; 王克丞 【主权项内容】一种多准位电源转换器的准位切换装置,包括一分压电路,一电阻,一MOS晶体管和一低超过超消除器,其特征在于:所述分压电路,自所述多准位电源转换器的输出端取得与输出端上输出信号相关的一回授信号,所述分压电路包括一个回授端,所述回授信号于所述回授端输出;所述电阻,与所述MOS晶体管串联;所述MOS晶体管,与所述电阻串联在所述回授端及接地端之间;所述低超过超消除器,设置在所述准位切换装置中,用以调整所述MOS晶体管由全开变为全关或由全关变为全开的速度。 【当前权利人】立锜科技股份有限公司 【当前专利权人地址】中国台湾新竹县竹北市台元街20号5楼 【引证次数】4.0 【被引证次数】5 【他引次数】4.0 【被自引次数】2.0 【被他引次数】3.0 【家族引证次数】7.0 【家族被引证次数】5

  • 【摘要】本发明涉及一种用于补偿电源转换器的最大输出功率的脉宽调变控制器及方法。脉宽调变控制器包括一振荡器,一控制电路及一双电平限制电路。振荡器产生一脉冲信号;控制电路耦接至振荡器并依据脉冲信号产生脉宽调变信号,其中,此脉宽调变信号控制功率开
  • 【摘要】本发明是有关于一种磁性电容储能装置,包括一用以储存电能的磁性 电容单元,以及一电压调节单元,其与该磁性电容单元电性连接,用以对 该磁性电容单元的放电电压进行升压或降压转换,以输出一定电压。其中该 磁性电容单元包含一磁性电容或一由复数
  • 【摘要】一种复合式镀膜装置与方法,用以均匀成膜于一基板上方,包含一真空腔体,及一转子,而真空腔体具有溅镀室及蒸镀室,溅镀室可电浆表面处理基板及溅镀薄膜导电层,蒸镀室则连接于该溅镀室,蒸镀一主导电层,透过转子转动基板于溅镀室及蒸镀室,交替溅镀
  • 【摘要】本发明提供一种具有导热层结构的晶片电阻,特指一种通过绝缘基板及其上、下方设置的导热层、导电层,且由二端电极包覆连接该绝缘基板、导热层及导电层的晶片电阻,该以铜箔、金属薄膜或合金箔为材料的导热层设有一刻蚀的隔离槽缝,另,该以合金为材料
  • 【摘要】本发明公开了一种行动通讯平台跨异质平台的多媒体传输系统,它包括:一行动通讯装置,其具有一识别代号;一多媒体显示装置,其具有一识别码,且设有资料处理单元、显示模组、储存单元及网路连接装置;一管理服务器,其具有一服务代号及第一使用者资料
  • 【摘要】本发明公开了一种电源管理方法,适用于包括有线网卡与无线网卡的一计算机系统,并包括下列步骤:首先,透过先进组态与电力接口中的常驻程序,去判别有线网卡与无线网卡的装置电源是否已被开启;当有线网卡与无线网卡的装置电源已被开启时,则呼叫网络