【摘要】 一种可达到最佳化静态随机存取存储器的最小操作电压的调整方法，其中的静态随机存取存储器接收外设电路电压及存储单元电压，其步骤包括：首先针对静态随机存取存储器进行许目测试，藉以获得许目测试图及最小操作电压。比较最小操作电压与预设规格，并在许目测试图上外设电路电压等于存储单元电压的线上定位出预设规格所在的规格定位点。固定外设电路电压或存储单元电压的其中之一，并递减外设电路电压或存储单元电压的另一，藉以针对静态随机存取存储器进行测试，并获得失效位数分布。最后，依据规格定位点以及失效位数分布调整静态随机存取存储器的制程参数。 【专利类型】发明申请 【申请人】联华电子股份有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】中国台湾新竹科学工业园区 【申请人地区】中国 【申请人城市】台湾省 【申请号】CN200810185911.0 【申请日】2008-12-16 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101752009A 【公开公告日】2010-06-23 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101752009B 【授权公告日】2013-04-17 【授权公告年份】2013.0 【IPC分类号】G11C29/00 【发明人】郭建利; 刘复晁; 侯俊良; 谢明进 【主权项内容】一种静态随机存取存储器的操作电压的调整方法，其中该静态随机存取存储器接收外设电路电压及存储单元电压，其步骤包括：针对多个该静态随机存取存储器进行许目测试，并藉以获得许目测试图及最小操作电压，其中该许目测试图具有测试成功分布区；比较该最小操作电压与一预设规格；在该许目测试图上该外设电路电压等于该存储单元电压的线上定位出该预设规格所在的规格定位点；固定该外设电路电压或该存储单元电压的其中之一，并递减该外设电路电压或该存储单元电压的另一，以针对多个该静态随机存取存储器进行测试，并获得失效位数分布；以及依据该规格定位点以及该失效位数分布调整多个该静态随机存取存储器的制程参数。 【当前权利人】联华电子股份有限公司 【当前专利权人地址】中国台湾新竹科学工业园区 【引证次数】4.0 【被引证次数】34 【他引次数】4.0 【被他引次数】34.0 【家族引证次数】4.0 【家族被引证次数】34
