【摘要】 本发明是关于接地电位交越检测与电源电位交越检测的检测电路，所述 的检测电路用以检测一通过接地电位的交越输入信号，所述的电路包含二个 PMOS晶体管以及二个NMOS晶体管，且其相互连接的，PMOS晶体管具有 连接至一电源电位的源极，相连接在一起的栅极，以及第二PMOS晶体管的 漏极，第一NMOS晶体管具有一源极，做为一输入端以接收一输入信号，以 及具有一漏极，做为一输出端，且所述的第二NMOS晶体管具有一源极接地， 二NMOS晶体管的栅极相连接在一起，且共同与一偏电压相连接；若输入端 设置于第一PMOS晶体管的源极，且第一NMOS晶体管的源极是接地的，则 所述的电路亦能用来检测一通过电源电位的交越输入信号。本发明的电路仅 由四个晶体管所构成大大减少电流消耗。 【专利类型】发明申请 【申请人】新德科技股份有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】台湾省新竹县 【申请人地区】中国 【申请人城市】台湾省 【申请号】CN200810129869.0 【申请日】2008-08-14 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101650382A 【公开公告日】2010-02-17 【公开公告年份】2010 【发明人】傅明 【主权项内容】1.一种检测电路，用以检测交越一指定电压的输入信号，其特征在于， 所述的检测电路包含： 一第一PMOS晶体管、一第二PMOS晶体管、一第一NMOS晶体管以及 一第二NMOS晶体管，其中所述的第一PMOS晶体管以及所述的第二PMOS 晶体管皆具有一栅极，所述的二栅极皆与所述的第二PMOS晶体管以及所述 的第二NMOS晶体管的漏极相连接，且所述的第一NMOS晶体管以及所述的 第二NMOS晶体管亦皆具有一栅极，所述的二栅极皆连接于一BIAS电压， 所述的第二NMOS晶体管的源极接地，而所述的第二PMOS晶体管的源极连 接于一电源电位，所述的第一PMOS晶体管以及所述的第一NMOS晶体管的 漏极连接于一输出端；以及 当所述的指定电压为接地电位时，所述的第一NMOS晶体管的源极连接 于所述的输入信号，且所述的第一PMOS晶体管的源极连接于所述的电源电 位； 当所述的指定电压为电源电位时，所述的第一NMOS晶体管的源极接地， 且第一PMOS晶体管的源极连接于所述的输入信号。 【当前权利人】新德科技股份有限公司 【当前专利权人地址】台湾省新竹县 【被引证次数】TRUE 【家族被引证次数】TRUE
