【摘要】 本发明公开了一种用于半导体元件的多晶粒封装结构，此结构包含一基底，其具有晶粒容纳窗格及互连通孔形成于其中；一第一层半导体晶粒通过背对背设置架构形成于一第二层半导体晶粒下方并置于晶粒容纳窗格之中，其中此第一多晶粒封装包含第一层接触垫形成于此第一层半导体晶粒之下，其中此第一层半导体晶粒具有一第一增层形成于其下，以耦合至此第一层半导体晶粒的第一接合垫；一第二层接触垫形成于该第二层半导体晶粒之上，其中此第二层半导体晶粒具有一第二增层形成于其上，以耦合至此第二层半导体晶粒的第二接合垫；及导电凸块形成于此第一增层之下。 【专利类型】发明申请 【申请人】育霈科技股份有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】中国台湾新竹县 【申请人地区】中国 【申请人城市】台湾省 【申请号】CN200810173898.7 【申请日】2008-11-21 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101740551A 【公开公告日】2010-06-16 【公开公告年份】2010 【IPC分类号】H01L25/00; H01L25/18; H01L25/065; H01L23/48; H01L21/60 【发明人】杨文焜; 王启宇; 许献文 【主权项内容】一种用于半导体元件的多晶粒封装结构，其特征在于，包含：一基底，具有晶粒容纳窗格及互连通孔形成其中；一第一层半导体晶粒，其是通过背对背方式形成于一第二层半导体晶粒下方并置于该晶粒容纳窗格内，其中该多晶粒封装包含第一层接触垫形成于该第一层半导体晶粒之下，该第一层半导体晶粒具有一第一增层形成于其下以耦合至该第一层半导体晶粒的一第一接合垫；一第二层接触垫形成于该第二层半导体晶粒之上，其中该第二层半导体晶粒具有一第二增层形成于其上以耦合至该第二层半导体晶粒的第二接合垫；及导电凸块形成于该第一增层之下，用以耦合至该第一层接触垫。 【当前权利人】育霈科技股份有限公司 【当前专利权人地址】中国台湾新竹县 【引证次数】1.0 【被引证次数】23 【他引次数】1.0 【被他引次数】23.0 【家族引证次数】1.0 【家族被引证次数】23
