【摘要】 本发明一种发光二极管封装结构,包括一电路板及一发光二极管芯片。电路板具有一表面线路层以及一绝缘层,其中表面线路层配置于绝缘层上,且绝缘层的材质选自于由钻石、类钻石、氮化铝、氮化硼、氮化铬以及氮化钛所组成的族群。发光二极管芯片配置于电路板上,并与电路板的表面线路层电性连接。由于绝缘层选自具有高导热性质的材料,故发光二极管封装结构的散热效能以及发光效率能获得改善。 【专利类型】发明申请 【申请人】亿光电子工业股份有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】中国台湾台北县土城市 【申请人地区】中国 【申请人城市】台湾省 【申请号】CN200810174417.4 【申请日】2008-11-05 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101740671A 【公开公告日】2010-06-16 【公开公告年份】2010 【IPC分类号】H01L33/00 【发明人】许晋源 【主权项内容】一种发光二极管封装结构,其特征在于包括:一电路板,具有一表面线路层以及一绝缘层,其中该表面线路层配置于该绝缘层上,且该绝缘层的材质选自于由钻石、类钻石、氮化铝、氮化硼、氮化铬以及氮化钛所组成的族群;以及一发光二极管芯片,配置于该电路板上,并与该电路板的该表面线路层电性连接。 【当前权利人】亿光电子工业股份有限公司 【当前专利权人地址】中国台湾台北县土城市 【被引证次数】9 【被他引次数】9.0 【家族被引证次数】9