【摘要】 一种双孔分布氧化硅的合成方法，包括将水、硅源和模板剂混合，调节其pH值为4～12，于40～120℃老化0.5～4天，然后过滤、洗涤、干燥、焙烧；所述模板剂为糖和表面活性剂的混合物，模板剂中糖和表面活性剂的质量比为0.5～2，硅和水的摩尔比为1∶30～1∶200，硅与模板剂的摩尔比为1∶0.005～2。本发明提供的双孔分布氧化硅，孔径较小的孔的可几孔径为2～10nm，孔径较大的孔的可几孔径为10～25nm，比表面积为400～750m2/g，孔容为0.8～1.5cm3/g。本发明提供的双孔分布氧化硅可用作吸附剂、催化剂或作为吸附剂、催化剂的载体。 【专利类型】发明申请 【申请人】中国石油化工股份有限公司; 中国石油化工股份有限公司石油化工科学研究院 【申请人类型】企业 【申请人地址】100083北京市海淀区学院路18号 【申请人地区】中国 【申请人城市】北京市 【申请人区县】海淀区 【申请号】CN200810247509.0 【申请日】2008-12-31 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101767790A 【公开公告日】2010-07-07 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101767790B 【授权公告日】2012-01-25 【授权公告年份】2012.0 【IPC分类号】C01B33/18 【发明人】许本静; 田辉平; 朱玉霞; 陆友保; 龙军 【主权项内容】一种双孔分布氧化硅的合成方法，包括如下步骤：(1)将硅源和模板剂加入到水中，搅拌；其中，所述模板剂为糖和表面活性剂的混合物，所述硅源选自能溶于水的硅酸盐、能水解的有机硅化合物和硅溶胶中的一种或几种；所述表面活性剂为阳离子表面活性剂、阴离子表面活性剂或非离子表面活性剂中的一种的或几种；硅和水的摩尔比为1∶30～1∶200，硅与模板剂的摩尔比为1∶0.005～1∶2；模版剂中糖和离子表面活性剂的质量比为0.5∶1～2∶1；(2)调节步骤(1)得到的混合物的pH值为4～12，搅拌0.5～6h，得到先驱体溶胶；(3)将步骤(2)得到的先驱体溶胶于40～120℃老化0.5～4天；(4)将步骤(3)得到的老化后的先驱体溶胶过滤和洗涤，然后干燥得到先驱体粉末；(5)将步骤(4)得到的先驱体粉末焙烧，得到双孔氧化硅。 【当前权利人】中国石油化工股份有限公司; 中国石油化工股份有限公司石油化工科学研究院 【当前专利权人地址】北京市朝阳区朝阳门北大街22号; 北京市海淀区学院路18号 【专利权人类型】其他股份有限公司(上市); 其他股份有限公司分公司(非上市) 【统一社会信用代码】91110000710926094P; 91110108801125022N 【引证次数】3.0 【被引证次数】38 【他引次数】3.0 【被自引次数】12.0 【被他引次数】26.0 【家族引证次数】4.0 【家族被引证次数】38
