【摘要】 一种防电弧保护装置以及其组装方法，该防电弧保护装置装设于等离子体反应室的室壁上，室壁具有至少一第一开口，防电弧保护装置包括保护板与嵌入式保护件。保护板配置于室壁内面上，且保护板具有第二开口以暴露出第一开口以及部分室壁内面，保护板靠近第二开口的缘部构成顶压部。嵌入式保护件覆盖第二开口所暴露的部分室壁内面并暴露出第一开口，嵌入式保护件邻接保护板处具有嵌合部，保护板利用顶压部紧密地顶压在嵌入式保护件的嵌合部上，使得嵌合部位于顶压部与室壁内面之间，且嵌入式保护件远离室壁内面的表面与保护板远离室壁内面的表面相互齐平，该嵌入式保护件遮盖该室壁临近该第一开口的角隅处。该防电弧保护装置具有维护简易、制造成本低等优点。 【专利类型】发明授权 【申请人】友达光电股份有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】中国台湾新竹市 【申请人地区】中国 【申请人城市】台湾省 【申请号】CN200810137971.5 【申请日】2008-07-17 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101320680B 【公开公告日】2010-09-15 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101320680B 【授权公告日】2010-09-15 【授权公告年份】2010.0 【IPC分类号】H01L21/00; H01J37/32; H05H1/24; C23F4/00; C23C16/44; B23P21/00 【发明人】苏丞干 【主权项内容】一种防电弧保护装置，适用于一等离子体反应室的一室壁上，用以降低该等离子体反应室中发生电弧的频率，该室壁具有至少一第一开口，该防电弧保护装置包括：一保护板，配置于该室壁内面上，且该保护板具有一第二开口以暴露出该第一开口以及部分该室壁内面，该保护板靠近该第二开口的缘部构成一顶压部；以及一嵌入式保护件，覆盖于该第二开口所暴露的部分该室壁内面上并暴露出该第一开口，该嵌入式保护件邻接该保护板处具有一嵌合部，该保护板利用该顶压部紧密地顶压在该嵌入式保护件的该嵌合部上，使得该嵌合部位于该顶压部以及该室壁内面之间，且该嵌入式保护件远离该室壁内面的表面与该保护板远离该室壁内面的表面相互齐平，该嵌入式保护件遮盖该室壁临近该第一开口的角隅处。 【当前权利人】友达光电股份有限公司 【当前专利权人地址】中国台湾新竹市 【家族被引证次数】1
