【摘要】 本发明公开了一种发光元件及其制作方法，该发光元件包含有：基板、发光芯片、管状结构和荧光转化层。管状结构形成于基板表面；发光芯片设置于基板表面并被管状结构所环绕；荧光转化层设置于管状结构内并覆盖发光芯片。该荧光转化层在该发光芯片处的最大垂直厚度与最大水平厚度的比值为0.1至10。本发明通过管状结构，控制光线自发光芯片出光后，所需穿透荧光转化层的距离，可解决现有技术的荧光粉涂布封装技术造成的出光色温不均问题。 【专利类型】发明授权 【申请人】财团法人工业技术研究院 【申请人类型】科研单位 【申请人地址】中国台湾新竹县 【申请人地区】中国 【申请人城市】台湾省 【申请号】CN200810132230.8 【申请日】2008-07-18 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101447538B 【公开公告日】2010-10-13 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101447538B 【授权公告日】2010-10-13 【授权公告年份】2010.0 【IPC分类号】H01L33/00; H01L25/075; H01L21/50; H01L21/56 【发明人】卢建均; 郭家泰; 许镇鹏; 胡鸿烈; 孙健仁 【主权项内容】一种发光元件，包含有：一基板，具有一表面；至少一管状结构，形成于该表面，且该管状结构的两端各具有一开口，该管状结构以该二端的一端设置于该表面；至少一发光芯片，该发光芯片设置于该表面并被该管状结构所环绕；以及至少一荧光转化层，设置于该管状结构内并覆盖该发光芯片，该荧光转化层在该发光芯片处的一最大垂直厚度与一最大水平厚度的比值为0.1至10，其中，该管状结构的材质供该发光芯片所发出的光线与该荧光转化层被激发的光线穿透。 【当前权利人】财团法人工业技术研究院 【当前专利权人地址】中国台湾新竹县 【引证次数】7.0 【他引次数】7.0 【家族引证次数】7.0 【家族被引证次数】4
