【摘要】 本发明提供了一种高亮度发光二极管结构及其制造方法，该结构包含依序堆栈的一硅基板、一金属黏合层、一金属反射层、一N型半导体层、一活化层以及一P型半导体层，其中该金属反射层、该N型半导体层、该活化层以及该P型半导体层为在一N型基板上沉积堆栈之后，并由该金属黏合层黏着于该硅基板上之后再剥离该N型基板下来，据此本发明的高亮度发光二极管结构利用该硅基板取代传统的会吸光的砷化镓基板，因而可降低光损失而提高发光二极管的亮度。 【专利类型】发明申请 【申请人】联胜光电股份有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】中国台湾台中县 【申请人地区】中国 【申请人城市】台湾省 【申请号】CN200810177057.3 【申请日】2008-11-19 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101740673A 【公开公告日】2010-06-16 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101740673B 【授权公告日】2011-11-30 【授权公告年份】2011.0 【IPC分类号】H01L33/00 【发明人】颜良吉; 张智松 【主权项内容】一种高亮度发光二极管结构，其特征在于，包含：一硅基板(10)；一金属黏合层(20)，所述金属黏合层(20)堆栈于所述硅基板(10)上；一金属反射层(21)，所述金属反射层(21)堆栈于所述金属黏合层(20)上；一N型半导体层(30)，所述N型半导体层(30)堆栈于所述金属反射层(21)上；一活化层(40)，所述活化层(40)堆栈于所述N型半导体层(30)上；以及一P型半导体层(50)，所述P型半导体层(50)堆栈于所述活化层(40)上。 【当前权利人】联胜光电股份有限公司 【当前专利权人地址】中国台湾台中县 【被引证次数】4 【被自引次数】1.0 【被他引次数】3.0 【家族被引证次数】4
