【摘要】 本发明提供一种半导体结构，即一种鳍式场效应晶体管，其包括：一鳍状半导体，位于一基材的上表面，其中该半导体鳍包括一中间区，其具有一第一宽度；以及一第一与一第二末端区，连接到该中间区的相对两端，其中该第一与第二末端区各包括至少一顶端部分，具有一第二宽度大于该第一宽度。该半导体结构还包括一栅极介电层，位于该鳍状半导体中间区的上表面与侧壁上；以及一栅极电极，位于该栅极介电层上。本发明可扩大半导体鳍式场效应晶体管的源极与漏极区，以及在不需提供更多芯片区域的价格前提下，降低源极与漏极区的电阻。 【专利类型】发明授权 【申请人】台湾积体电路制造股份有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】中国台湾新竹市 【申请人地区】中国 【申请人城市】台湾省 【申请号】CN200810161098.3 【申请日】2008-09-26 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101414632B 【公开公告日】2010-11-03 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101414632B 【授权公告日】2010-11-03 【授权公告年份】2010.0 【IPC分类号】H01L29/78; H01L29/06 【发明人】余振华; 许育荣; 叶震南; 张正宏 【主权项内容】一种鳍式场效应晶体管，包括：一鳍状半导体，位于一基材的上表面，其中该鳍状半导体包括：一中间区，具有一第一宽度；以及一第一和一第二末端区，连接于该中间区的相对两端，其中该第一和该第二末端区各包括至少一顶端部份，其具有一第二宽度大于该第一宽度；一鳍状间隔物，位于该第一和该第二末端区的侧壁上，其中该鳍状间隔物包括由不同材料组成的一顶端部分与一底端部分，且其中该顶端部分与该底端部分两者均实际接触该第一和该第二末端区其中的一区；一栅极介电层，位于该鳍状半导体中间区的上表面与侧壁上；以及一栅极电极，位于该栅极介电层上。 【当前权利人】台湾积体电路制造股份有限公司 【当前专利权人地址】中国台湾新竹市 【被引证次数】6 【被自引次数】2.0 【被他引次数】4.0 【家族引证次数】25.0 【家族被引证次数】243
