【摘要】 本发明关于一种半导体装置及形成该半导体装置的方法。该具低能带间隙层的半导体装置包括：含一半导体材质；一栅介电层，位于低能带间隙层上，其中低能带间隙层的能阶低于硅能阶；一栅极，覆盖于栅介电层上；一与栅介电层邻接的第一源/漏极区，其中第一源/漏极区具有一第一传导特性；一与栅介电层邻接的第二源/漏极区，其中第二源/漏极区具有一与第一传导特性相反的第二传导特性。低能带间隙层位于第一及第二源/漏极区间且为无杂质或具有小于1×1015/cm-3的掺杂浓度杂质，第一源/漏极区及第二源/漏极区的能阶大于低能带间隙层。本发明的半导体装置使一p-通道及n-通道的场效电晶体装置均衡的效能，并降低漏电流，改进次临界摆幅及开启电流的特性。 【专利类型】发明申请 【申请人】台湾积体电路制造股份有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】中国台湾 【申请人地区】中国 【申请人城市】台湾省 【申请号】CN201010248413.3 【申请日】2008-01-24 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101931000A 【公开公告日】2010-12-29 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101931000B 【授权公告日】2012-08-22 【授权公告年份】2012.0 【IPC分类号】H01L29/739; H01L21/329 【发明人】克里希那布瓦卡; 后藤贤一 【主权项内容】一种半导体装置，其特征在于包括：一低能带间隙层，包含一半导体材质，其中该低能带间隙层之能阶系低于硅能阶；一闸介电层，位于该低能带间隙层上；一闸极，覆盖于该闸介电层上；一与该闸介电层邻接之一第一源/汲极区，其中该第一源/汲极区系具有一第一传导特性；一与该闸介电层邻接之一第二源/汲极区，其中该第二源/汲极区系具有一与该第一传导特性相反之一第二传导特性，且其中该低能带间隙层系位于该第一及该第二源/汲极区之间，该第一源/汲极区及该第二源/汲极区之能阶大于该低能带间隙层，其中该低能带间隙层系为无杂质或具有小于1x1015/cm‑3的掺杂浓度杂质；以及一第一及一第二重掺杂源/汲极延伸区，其中该第一重掺杂源/汲极延伸区位于该第一源/汲极区及该低能带间隙层之间，该第二重掺杂源/汲极延伸区位于该第二源/汲极区及该低能带间隙层之间，且该第一及该第二重掺杂源/汲极延伸区之深度小于各该第一及第二源/汲极区之深度。 【当前权利人】台湾积体电路制造股份有限公司 【当前专利权人地址】中国台湾 【引证次数】2.0 【自引次数】2.0 【家族引证次数】17.0 【家族被引证次数】177
