【摘要】 一种用于在晶片上加工集成电路的方法，其包括提供设备供应的室温 溶液；将所述设备供应的室温溶液的温度控制到期望的温度设定点，以得 到清洗溶液；以及使用所述清洗溶液清洗抛光垫。接着通过化学机械抛光 工艺对晶片进行抛光。 【专利类型】发明申请 【申请人】台湾积体电路制造股份有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】中国台湾新竹 【申请人地区】中国 【申请人城市】台湾省 【申请号】CN200810192972.X 【申请日】2008-12-31 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101630629A 【公开公告日】2010-01-20 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101630629B 【授权公告日】2013-03-27 【授权公告年份】2013.0 【发明人】何明哲; 汪青蓉; 许呈锵 【主权项内容】1.一种制备用于化学机械抛光(CMP)工艺的抛光垫的方法，所述方 法包括： 将第一清洗溶液的温度控制到第一期望的温度设定点； 使用所述温度控制的第一清洗溶液对抛光垫进行清洗；以及 在清洗步骤之后，对第一晶片的表面进行CMP工艺。 【当前权利人】台湾积体电路制造股份有限公司 【当前专利权人地址】中国台湾新竹 【被引证次数】10 【家族被引证次数】45
