【摘要】 本发明提供一种闪存的双模式错误纠正码装置及其方法,错误检测单元检测闪存的数据内容,以计算错误码的数量,并决定该错误码的数量是否超出一预定临界值。当小于该预定临界值时,切换模块切换至第一错误纠正码(ECC)单元的第一编码模式;第一错误纠正码(ECC)单元依据第一编码模式,以选择性纠正该错误码。当大于该预定临界值时,切换模块切换至第二错误纠正码(ECC)单元的第二编码模式;第二错误纠正码(ECC)单元依据第二编码模式,用以选择性纠正该数据内容的错误码。 (,) 【专利类型】发明申请 【申请人】创惟科技股份有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】中国台湾台北县新店市北新路三段205号12楼 【申请人地区】中国 【申请人城市】台湾省 【申请号】CN200810181990.8 【申请日】2008-11-27 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101740134A 【公开公告日】2010-06-16 【公开公告年份】2010 【IPC分类号】G11C29/42; G11C29/04 【发明人】陈如芃 【主权项内容】一种双模式错误纠正码装置,用于一闪存,其特征在于,所述双模式错误纠正码装置包括:错误检测单元,用以检测所述闪存的数据内容,以计算该数据内容的若干个错误码的数量,并决定该若干个错误码的数量是否超出一预定临界值;第一错误纠正码单元,依据第一编码模式,用以纠正所述数据内容的所述若干个错误码;第二错误纠正码单元,依据第二编码模式,用以纠正所述数据内容的所述若干个错误码;以及切换模块,分别耦接所述错误检测单元至所述第一错误纠正码单元以及所述第二错误纠正码单元,当所述若干个错误码的数量小于该预定临界值时,切换至所述第一错误纠正码单元的所述第一编码模式,以使能所述第一错误纠正码单元的所述第一编码模式,当所述若干个错误码的数量大于该预定临界值时,切换至所述第二错误纠正码单元的所述第二编码模式,以使能所述第二错误纠正码单元的所述第二编码模式。 【当前权利人】创惟科技股份有限公司 【当前专利权人地址】中国台湾台北县新店市北新路三段205号12楼 【被引证次数】5 【被他引次数】5.0 【家族被引证次数】5