【摘要】 本发明提供了金属氧化物半导体晶体管及其制造方法。在一实施例中，本发明的金属氧化物半导体晶体管的栅电极具有延伸至一延伸介电层的一上部边缘的一部分，该延伸介电层分隔该栅电极与该金属氧化物半导体晶体管的一漏极区。另外，在邻近该栅电极的该部分的一边缘处，该栅电极还向下延伸进入于位于该延伸介电区内的该上部边缘的一凸状缺口或沟槽内，以形成一突出部。本发明可改善热载流子效应的抑制能力。 【专利类型】发明授权 【申请人】台湾积体电路制造股份有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】中国台湾新竹市 【申请人地区】中国 【申请人城市】台湾省 【申请号】CN200810212848.5 【申请日】2008-09-10 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101572270B 【公开公告日】2010-12-01 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101572270B 【授权公告日】2010-12-01 【授权公告年份】2010.0 【IPC分类号】H01L29/78; H01L29/423 【发明人】田威廉; 曾昭玮; 陈富信 【主权项内容】一种金属氧化物半导体晶体管，设置于一半导体基底内，包括：具有一第一导电特性的一源极区，设置于该半导体基底的一第一表面部内；具有该第一导电特性的一漏极区，设置于该半导体基底的一第二表面部内；具有与该第一导电特性相反的一第二导电特性的一沟道区，设置于介于该源极区与该漏极区之间的该半导体基底的一第三表面部内；一栅介电层，设置于该沟道区之上；一延伸介电区，横向地邻近且位于该栅介电层与该漏极区之间；具有该第一导电特性的一漏极延伸区，环绕该漏极区与该延伸介电区的一下部；以及一栅电极，具有位于该栅介电层上的一第一部分以及位于该延伸介电区的一上表面上一第二部分，其中该第二部分包括进入于该延伸介电区内的一突出部。 【当前权利人】台湾积体电路制造股份有限公司 【当前专利权人地址】中国台湾新竹市 【引证次数】4.0 【被引证次数】1 【他引次数】4.0 【被他引次数】1.0 【家族引证次数】57.0 【家族被引证次数】92
