【摘要】 本发明揭露一种用于写入存储器阵列中的第一存储器单元的方法。在 特定实施例中，每一存储器单元具有漏极、源极、通道、以及上覆于电荷 储存材料及通道的控制栅极。第一存储器单元的源极耦接至第二存储器单 元的漏极。将一电压施加于第一存储器单元的漏极，且将第二存储器单元 的源极接地。此方法包含浮动第二存储器单元的漏极及第一存储器单元的 源极，并接通第一及第二存储器单元的通道，从而有效形成一扩展通道区 域。将热载流子注入至第一单元的电荷储存材料以写入第一存储器单元。 扩展通道降低电场并减少未选定存储器单元中的穿通泄漏。 【专利类型】发明申请 【申请人】旺宏电子股份有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】台湾省新竹科学工业园区力行路16号 【申请人地区】中国 【申请人城市】台湾省 【申请号】CN200810170461.8 【申请日】2008-11-06 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101640067A 【公开公告日】2010-02-03 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101640067B 【授权公告日】2012-12-12 【授权公告年份】2012.0 【发明人】张力禾; 蔡文哲; 欧天凡; 黄竣祥 【主权项内容】1.一种集成电路，其包括： 位于衬底上的多个存储器单元；以及 电路单位，其执行包括以下的步骤： 选择第一存储器单元，所述选定存储器单元包括第一掺杂区域、第二 掺杂区域、所述第一掺杂区域与所述第二掺杂区域之间的第一通道区域、 上覆于所述第一通道区域的第一电荷储存部件，以及上覆于所述第一电荷 储存部件的第一控制栅极； 选择第三掺杂区域，所述第三掺杂区域由至少一第二通道区域、上覆 于所述第二通道区域的第二控制栅极而与所述第二掺杂区域分离； 施加偏压配置以写入所述第一存储器单元，包含： 向所述衬底施加衬底电压； 向所述第一掺杂区域施加第一电压； 向所述第三掺杂区域施加第二电压； 向所述第一控制栅极以及所述第二控制栅极施加第三电压；以及 浮动所述第二掺杂区域。 【当前权利人】旺宏电子股份有限公司 【当前专利权人地址】中国台湾新竹科学工业园区力行路16号 【被引证次数】TRUE 【家族被引证次数】TRUE
