【摘要】 提供制造由AlInGaN或AlGaN组成的紫外线(UV)垂直式发光二极管 (VLED)结构的方法，该结构较已知AlInGaN或AlGaN发光二极管(LED) 结构具有较佳的晶体品质及更快的成长速率。通过在载体基板上形成牺牲性 GaN层，接着在该牺牲性GaN层上沉积发光二极管(LED)堆迭而完成。然 后在后续处理步骤中移除该牺牲性GaN层。 【专利类型】发明申请 【申请人】旭明光电股份有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】台湾省苗栗县 【申请人地区】中国 【申请人城市】台湾省 【申请号】CN200880022949.4 【申请日】2008-05-02 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101689553A 【公开公告日】2010-03-31 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101689553B 【授权公告日】2012-08-01 【授权公告年份】2012.0 【IPC分类号】H01L27/14; H01L33/00 【发明人】陈长安 【主权项内容】 1.一种制造一垂直式发光二极管结构的方法，包括： 在一蓝宝石基板上成长一牺牲性GaN层； 在所述牺牲性GaN层上形成一发光二极管堆迭，所述发光二极管堆迭包 括AlInGaN及AlGaN的至少一者； 在所述发光二极管堆迭上沉积一或多层金属基板； 移除所述蓝宝石基板；及 移除所述牺牲性GaN层。 【当前权利人】旭明光电股份有限公司 【当前专利权人地址】中国台湾苗栗县 【引证次数】1.0 【被引证次数】5 【他引次数】1.0 【被自引次数】1.0 【被他引次数】4.0 【家族引证次数】15.0 【家族被引证次数】15
